[發明專利]具有多個引線框架的半導體封裝及其形成方法

在審

• 申請號: 201310286049.3
• 申請日: 2013-07-09
• 公開（公告）號: CN103545283A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: J.霍伊格勞爾;R.奧特雷巴;K.施伊斯;X.施洛伊格;J.施雷德
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;劉春元

1.一種半導體封裝，其包括：

第一引線框架；

被部署在第一引線框架之上的第二引線框架，而第二引線框架具有管芯踏板和多個引線；以及

被部署在第二引線框架之上的半導體芯片，而半導體芯片耦合到多個引線。

2.根據權利要求1所述的封裝，其中，

半導體芯片包括在第一側上的第一接觸區域、在第一側上的第二接觸區域、和在第二側上的第三接觸區域，而第二側與第一側相對。

3.根據權利要求2所述的封裝，其中，

半導體芯片的第一側面向第二引線框架。

4.根據權利要求1所述的封裝，其中，

第一引線框架比第二引線框架厚。

5.根據權利要求1所述的封裝，其中，

半導體芯片包括垂直功率半導體芯片。

6.根據權利要求1所述的封裝，其中，

半導體芯片與第一引線框架電絕緣。

7.根據權利要求1所述的封裝，其中，

半導體芯片包括具有在第一側上的源極區域、在第一側上的柵極區域、在第二側上的漏極區域的垂直晶體管，其中第二側與第一側相對。

8.根據權利要求7所述的封裝，其中，

第二引線框架包括耦合到源極區域的管芯踏板，其中多個引線包括耦合到管芯踏板的源極引線、耦合到漏極區域的漏極引線和耦合到柵極區域的柵極引線。

9.根據權利要求1所述的封裝，其中，

半導體芯片的主要表面由管芯踏板和多個引線中的至少一個引線來支撐。

10.根據權利要求1所述的封裝，進一步包括：

部署在第一引線框架、第二引線框架和半導體芯片處的灌封，其中灌封具有部署在多個引線處的薄部。

11.一種半導體封裝，其包括：

具有第一管芯踏板的第一引線框架;

第二引線框架，而第二引線框架具有第二管芯踏板和多個引線，第二管芯踏板被部署在第一管芯踏板之上；以及

被部署在第二管芯踏板之上的半導體芯片，而半導體芯片在面向第二引線框架的第一側上具有多個接觸區域，而多個接觸區域被耦合到多個引線。

12.根據權利要求11所述的封裝，其中，

半導體芯片具有相對于第一側的第二側，其中第二側包括接觸區域，其中在第二側上的接觸區域被耦合到多個引線中的引線。

13.根據權利要求11所述的封裝，進一步包括：

被部署在第一引線框架、第二引線框架和半導體芯片處的灌封。

14.根據權利要求13所述的封裝，其中，

灌封具有被部署在多個引線處的薄部。

15.根據權利要求14所述的封裝，其中，

灌封具有第一側壁和第二側壁，以致形成薄部，并且其中第一側壁被定位在第一管芯踏板和多個引線之間。

16.根據權利要求14所述的封裝，其中，

灌封具有第一側壁和第二側壁，以致形成薄部，并且其中第一側壁被定位在第二管芯踏板和多個引線之間。

17.根據權利要求14所述的封裝，其中，

薄部具有第一厚度，其中第一管芯踏板具有第二厚度，并且其中第一厚度是第二厚度的大約10%到大約60%。

18.根據權利要求14所述的封裝，其中，

半導體芯片包括垂直晶體管，而多個接觸區域具有在第一側上的源極區域和在第一側上的柵極區域，其中垂直晶體管包括在第二側上的漏極區域，并且其中第二側與第一側相對。

19.根據權利要求18所述的封裝，其中，

第二管芯踏板被耦合到源極區域，其中多個引線包括耦合到第二管芯踏板的源極引線、耦合到漏極區域的漏極引線和耦合到柵極區域的柵極引線。

20.根據權利要求14所述的封裝，其中，

半導體芯片的主要表面由第二管芯踏板和多個引線中的至少一個引線來支撐。