[發(fā)明專利]帶有高擊穿電壓的雙極晶體管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310285429.5
• 申請日: 2013-07-09
• 公開（公告）號: CN103545358A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 林欣;D·J·布隆伯格;左將凱
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 郭思宇

技術領域

本發(fā)明通常涉及半導體器件和電路以及制造半導體器件和電路的方法，更具體地說涉及具體為雙極晶體管的半導體器件和電路。

背景技術

雙極晶體管多用于現(xiàn)代電子領域中作為單獨的器件以及作為各種集成電路(IC)的部分。尤其雙極晶體管的高要求應用存在于汽車和航空領域,其中除了其它方面,接地的和高邊(不接地)應用都期望相對高的擊穿電壓。當這種雙極晶體管與場效應晶體管(FET)同時被制造并且通常用在相同的襯底上時，例如金屬氧化物半導體(MOS)器件和/或作為IC的部分的補雙極-MOS(Bi-CMOS)器件，更復雜的情況可能發(fā)生。

附圖說明

本發(fā)明將在下文中結合附圖被描述，其中相似的數(shù)字表示相似的元件，并且其中：

圖1根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，示出改進的雙極晶體管的關于中心線的簡化截面圖；

圖2-圖9根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，示出在制造的各個階段期間圖1的雙極晶體管的簡化截面圖；

圖10-圖11根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，示出圖1的雙極晶體管的簡化截面圖；

圖12根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，示出改進的雙極晶體管的關于中心線的簡化截面圖；以及

圖13-圖14根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，示出在制造的各個階段期間圖12的雙極晶體管的簡化截面圖。

具體實施方式

以下的詳細說明書僅僅是示例的，不旨在限定本發(fā)明或本申請以及本發(fā)明的使用。此外，也不旨在被先前技術領域、背景、或以下詳細說明書中的任何明示或暗示的理論所限定。

為了簡便以及清晰的說明，附圖說明了構造的一般方式，并且眾所周知的特征和技術的說明以及細節(jié)可被忽略以避免不必要地模糊本發(fā)明。此外，附圖中的元件不一定按比例繪制。例如，附圖中的一些元件或區(qū)域的尺寸相對于其它元件或區(qū)域可被夸大以幫助改善對本發(fā)明實施例的理解。

說明書以及權利要求中的術語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等等，如果有的話，可被用于區(qū)分相似元件或步驟并不一定用于描述一個特定順序或時間順序。應了解術語的這種用法在適當?shù)那闆r下是可以互換的以便本發(fā)明所描述的實施例例如，能夠以不是本發(fā)明所說明的順序或不同于本發(fā)明所描述的其它方式操作或排列。此外，術語“包括”、“包含”、“具有”或其的任何變化形式旨在涵蓋非排他性地包括，以便包括一列元件或步驟的一個過程、方法、物品、或設備不需要被限定于那些元件或步驟，但可能包括其它沒有明確列出的或是這個過程、方法、、物品、或設備固有的其它元件或步驟。本發(fā)明所使用的術語“耦合”被定義為以一種電或非電方式直接或間接連接。正如本發(fā)明所使用的，術語“基本的”以及“基本上地”意味著以實用的方式足以實現(xiàn)所述的目的，并且微小的不完美——如果有——對于所述目的是不重要的。

正如本發(fā)明所使用的，術語“半導體”以及縮寫“SC”旨在包括任何半導體，無論單晶、多晶或非晶質，并且除了包括有機和無機半導體還包括IV型半導體、非IV型半導體、化合物半導體。此外,術語“襯底”、“半導體襯底”以及“SC襯底”旨在包括單晶結構、多晶結構、非晶質結構、薄膜結構、分層結構,是作為例子并且不旨在限定，絕緣體上半導體(SOI)結構、半導體上絕緣體(IOS)結構及其組合?！案哌叀蹦芰χ复D采用配置中的晶體管或其它器件的情況；在該配置中，晶體管或其它器件的參考端子不在地面或其它共同電路參考電位上,但在一個更高的電壓上。這種情況在汽車和航空電子應用中很常見。

為了便于解釋并且不旨在限定，本發(fā)明描述了硅半導體的半導體器件以及制造方法,但本領域所屬技術人員將了解其它半導體材料也可被使用。此外,各種器件類型和/或摻雜SC區(qū)域可被確定為N型或P型,但這僅僅是為了便于描述并且不旨在限定,并且這種確定可被替代為“第一導電類型”或“第二、相反導電類型”的更一般描述，其中第一類型可是N或P型并且第二類型則是P或N型。本發(fā)明的各個實施例將被說明用于NPN雙極晶體管，但是,這又只是為了便于描述并且不旨在限定。本領域所屬技術人員將了解包含NPN和PNP其中一個或兩者組合的NPN雙極晶體管和其它半導體器件以及電路可通過各個區(qū)域中的導電類型的適當互換而被提供。