[發明專利]帶有高擊穿電壓的雙極晶體管

無效

• 申請號: 201310285429.5
• 申請日: 2013-07-09
• 公開（公告）號: CN103545358A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 林欣;D·J·布隆伯格;左將凱
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 郭思宇

1.一種雙極晶體管，包括：

第一導電類型的第一半導體(SC)區域，具有上表面，并且在其中有所述第一導電類型的基極區域、第二相反導電類型的發射極區域、所述第一導電類型的與所述發射極區域橫向分開的基極接觸區域以及所述第二導電類型的與所述基極接觸區域橫向分開的集電極接觸區域；

所述第二導電類型的集電極區域，耦合于所述集電極接觸區域；以及

所述第二導電類型的浮動集電極區域，與所述集電極區域橫向間隔開并且至少部分位于所述發射極區域之下。

2.根據權利要求1所述的雙極晶體管，其中所述浮動集電極區域的中心部分位于所述發射極區域之下并且由所述基極區域的第一部分與所述發射極區域垂直分開。

3.根據權利要求2所述的雙極晶體管，其中所述浮動集電極區域的所述中心部分從直接位于發射極之下的位置朝著所述集電極區域橫向延伸大于零的第一距離。

4.根據權利要求3所述的雙極晶體管，其中第一距離為至少約0.1微米。

5.根據權利要求1所述的雙極晶體管，其中所述集電極區域和所述浮動集電極區域由與所述基極區域互通的所述第一SC區域的更深部分被橫向間隔開，其中所述第一SC區域(25)的所述更深部分有第一橫向寬度。

6.根據權利要求5所述的雙極晶體管，其中所述第一橫向寬度為至少約0.1微米。

7.根據權利要求1所述的雙極晶體管，其中所述集電極區域的中心部分通過所述基極區域的第二部分與所述基極接觸區域垂直分開。

8.根據權利要求7所述的雙極晶體管，其中所述基極區域的所述第二部分從所述基極接觸部分朝著所述集電極區域的上面部分延伸至少約0.25微米的第二距離。

9.根據權利要求1所述的雙極晶體管，其中所述浮動集電極區域基本上被所述第一SC區域的第一子部分圍繞。

10.根據權利要求9所述的雙極晶體管，其中所述集電極區域基本上被所述第一SC區域的第二子部分橫向圍繞。

11.根據權利要求1所述的雙極晶體管，還包括位于所述第一SC區域之下的絕緣層。

12.根據權利要求1所述的雙極晶體管，還包括橫向絕緣結構，它鄰近所述上表面并且將所述發射極區域、所述基極接觸區域和所述集電極接觸區域橫向分開。

13.一種形成雙極晶體管的方法，包括：

提供有第一導電類型的第一SC區域的襯底；

在所述第一SC區域中形成間隔開的集電極區域和第二相反導電類型的浮動集電極區域；

在所述第一SC區域中形成所述第二導電類型的發射極區域，所述發射極區域與所述浮動集電極區域垂直分開并且至少部分覆蓋所述浮動集電極區域，以及形成所述第二導電類型的集電極接觸區域，所述集電極接觸區域耦合于所述集電極區域并且與所述發射極區域橫向分開；以及

在所述第一SC區域中形成所述第一導電類型的基極接觸區域，所述基極接觸區域與所述集電極區域垂直分開并且與所述發射極區域橫向分開。

14.根據權利要求12所述的方法，其中形成橫向分開的發射極區域和基極接觸區域的步驟通過使用第一橫向絕緣結構執行，以及形成橫向分開的基極接觸區域和集電極接觸區域的步驟通過使用第二橫向絕緣結構執行。

15.根據權利要求13所述的方法，其中形成橫向分開的發射極區域、基極接觸區域和集電極區域的步驟包括形成所述第一橫向絕緣結構和所述第二橫向絕緣結構作為：(i)兩個淺溝道隔離(STI)區域,或(ii)兩個SC-金屬合金阻擋(SC-MAB)區域,或(iii)它們的組合，其中如果所述第一橫向絕緣結構是STI區域，則所述第二橫向絕緣結構是SC-MAB區域,或如果所述第一橫向絕緣結構是SC-MAB區域，則第二橫向絕緣結構是STI區域(291)。

16.根據權利要求13所述的方法，還包括形成所述第一導電類型的基極區域，所述基極區域包括位于所述發射極區域和所述浮動集電極區域之間的第一部分、越過所述集電極區域的一部分橫向延伸的第二部分以及所述第一SC區域的位于所述集電極區域和所述浮動集電極區域之間的另一部分。