[發明專利]低閾值電壓二極管的替代電路

有效

• 申請號: 201310284674.4
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN103391082A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 劉桂云;鮑奇兵
• 申請（專利權）人: 輝芒微電子(深圳)有限公司
• 主分類號: H03K17/74
• 分類號: H03K17/74
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 郭偉剛

1.一種低閾值電壓二極管的替代電路，其特征在于，所述電路包括：輸入電壓檢測電路（100）、輸出電壓控制電路（200）和輸出電壓開關電路（300）；

所述輸出電壓開關電路（300）的兩端分別為輸入端（IN）和輸出端（OUT）；

所述輸入電壓檢測電路（100）用于檢測所述輸入端（IN）的輸入電壓并將所述輸入電壓降壓為第一輸入電壓輸出到所述輸出電壓控制電路（200）；所述輸出電壓控制電路（200）用于將所述第一輸入電壓反相輸出為開關控制電壓，并通過所述開關控制電壓控制所述輸出電壓開關電路（300）的開啟和關閉；

當所述輸出電壓開關電路（300）開啟時，所述輸入端（IN）和輸出端（OUT）之間的電壓壓降接近零；當所述輸出電壓開關電路（300）關閉時，反向漏電流為零。

2.根據權利要求1所述的低閾值電壓二極管的替代電路，其特征在于，所述輸出電壓開關電路（300）包括第一PMOS管（MP1）和第二PMOS管（MP2）；所述第一PMOS管（MP1）和第二PMOS管（MP2）共用一個N阱（50）；

所述第一PMOS管（MP1）的柵極連接到所述第二PMOS管（MP2）的柵極，所述第一PMOS管（MP1）的漏極連接到所述第二PMOS管（MP2）的源極，所述第一PMOS管（MP1）的襯底連接到所述第一PMOS管（MP1）的漏極，所述第二PMOS管（MP2）的襯底連接到所述第二PMOS管（MP2）的源極；

所述第一PMOS管（MP1）的源極作為所述輸入端（IN），所述第二PMOS管（MP2）的漏極作為所述輸出端（OUT）；所述第一PMOS管（MP1）與所述第二PMOS管（MP2）的共柵極接收所述開關控制電壓。

3.根據權利要求2所述的低閾值電壓二極管的替代電路，其特征在于，所述輸出電壓控制電路（200）包括第三PMOS管（MP3）和第一NMOS管（MN1）；

所述第三PMOS管（MP3）的柵極連接到所述第一NMOS管（MN1）的柵極，所述第三PMOS管（MP3）的漏極連接到所述第一NMOS管（MN1）的漏極，所述第三PMOS管（MP3）的源極連接到所述第二PMOS管（MP2）的漏極，所述第一NMOS管（MN1）的源極接地，所述第三PMOS管（MP3）的襯底連接到所述第三PMOS管（MP3）的源極，所述第一NMOS管（MN1）的襯底連接到所述第一NMOS管（MN1）的源極，

所述第三PMOS管（MP3）和第一NMOS管（MN1）的共柵極接收所述第一輸入電壓；所述第三PMOS管（MP3）和第一NMOS管（MN1）的共漏極輸出所述開關控制電壓。

4.根據權利要求3所述的低閾值電壓二極管的替代電路，其特征在于，所述輸入電壓檢測電路（100）包括第一分壓電阻（R1）和第二分壓電阻（R2）；

所述第一分壓電阻（R1）的第一端連接至所述第一PMOS管（MP1）的源極，所述第一分壓電阻（R1）的第二端連接至所述第二分壓電阻（R2）的一端，所述第二分壓電阻（R2）的另一端接地，

所述第一分壓電阻（R1）的第一端用于接收所述輸入電壓，所述第一分壓電阻（R1）的第二端輸出所述第一輸入電壓。