[發(fā)明專利]電阻性存儲(chǔ)元件的雙回路檢測(cè)方案有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310283721.3 | 申請(qǐng)日: | 2003-07-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103366807A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | R.J.貝克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 微米技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C13/00 | 分類號(hào): | G11C13/00;G11C7/06;G11C11/16 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 姜甜;湯春龍 |
| 地址: | 美國(guó)愛*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電阻 存儲(chǔ) 元件 回路 檢測(cè) 方案 | ||
1.一種用于檢測(cè)存儲(chǔ)器的電阻狀態(tài)的讀出電路,包括:
第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn);
跨導(dǎo)放大器,它具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第一輸出和第一輸入;?
電容器,它具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第一極板和連接到第一恒壓源的第二極板;
電流源,它具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第二輸出,所述電流源適合于交替地通過(guò)所述第二輸出端向所述第一節(jié)點(diǎn)提供電流或從所述第一節(jié)點(diǎn)吸取電流,所述電流源具有連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的控制端,所述控制端適合于接收控制信號(hào)以便控制所述電流源在某一特定時(shí)間是提供還是吸取電流;
比較器電路,它具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第二輸入、連接到參考電壓源的第三輸入和連接到第一時(shí)鐘信號(hào)源的第四輸入,所述比較器電路具有連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的第三輸出;以及
計(jì)數(shù)器電路,它具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第五輸入、連接到第二時(shí)鐘信號(hào)源的第六輸入、連接到預(yù)置信號(hào)源的第七輸入和適合于輸出數(shù)字計(jì)數(shù)值的第四輸出。
2.如權(quán)利要求1所述的讀出電路,其中所述第一輸入連接到所述存儲(chǔ)器的電阻性元件的一端。
3.如權(quán)利要求1所述的讀出電路,還包括第二跨導(dǎo)放大器,其中所述第一節(jié)點(diǎn)連接到所述第二跨導(dǎo)放大器的輸入,并且所述第二跨導(dǎo)放大器具有第二跨導(dǎo)放大器輸出,其連接到第二電容器的第一極板和所述比較器電路的所述第二輸入。
4.一種用于檢測(cè)MRAM存儲(chǔ)器單元的電阻狀態(tài)的讀出電路,它包括:
第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn);
跨導(dǎo)放大器,它具有連接到所述MRAM存儲(chǔ)器單元的電阻性元件一端的第一輸入和連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第一輸出;
電容器,它具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第一極板和連接到第一恒壓源的第二極板;
電流源,它具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第二輸出,所述電流源適合于交替地通過(guò)所述第二輸出端向所述第一節(jié)點(diǎn)提供電流或從所述第一節(jié)點(diǎn)吸取電流,所述電流源具有連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的控制端,所述控制端適合于接收控制信號(hào)以便控制所述電流源在某一特定時(shí)間是提供還是吸取電流;
比較器電路,它具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第二輸入、連接到參考電壓源的第三輸入和連接到第一時(shí)鐘信號(hào)源的第四輸入,所述比較器電路具有連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的第三輸出;以及
計(jì)數(shù)器電路,它具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第五輸入、連接到第二時(shí)鐘信號(hào)源的第六輸入、連接到預(yù)置信號(hào)源的第七輸入和適合于輸出數(shù)字計(jì)數(shù)值的第四輸出。
5.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)MRAM存儲(chǔ)器單元的電阻狀態(tài)的讀出電路,其中還包括模擬預(yù)置電路,所述模擬預(yù)置電路具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)以便在所述電容器兩端建立預(yù)置電壓的第五輸出。
6.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)MRAM存儲(chǔ)器單元的電阻狀態(tài)的讀出電路,其中由所述電流源提供的所述電流以及由所述電流源吸取的所述電流具有基本上相同的幅度。
7.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)MRAM存儲(chǔ)器單元的電阻狀態(tài)的讀出電路,其中所述第一和第二時(shí)鐘信號(hào)彼此不同相。
8.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)MRAM存儲(chǔ)器單元的電阻狀態(tài)的讀出電路,其中所述第一和第二時(shí)鐘信號(hào)具有不同頻率。
9.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)MRAM存儲(chǔ)器單元的電阻狀態(tài)的讀出電路,其中所述計(jì)數(shù)器電路的所述第七輸入適合于接收預(yù)置信號(hào)的躍變,因而所述計(jì)數(shù)器電路的所述第四輸出呈現(xiàn)特定的計(jì)數(shù)值。
10.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)MRAM存儲(chǔ)器單元的電阻狀態(tài)的讀出電路,其中所述跨導(dǎo)放大器適合于在所述第一輸出產(chǎn)生輸出電流,所述輸出電流與施加在所述第一輸入的輸入電壓有函數(shù)關(guān)系。
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