[發明專利]用于光電半導體工藝的沉積設備及其遮覆框有效
| 申請號： | 201310282971.5 | 申請日： | 2013-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN104152862B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發明（設計）人： | 金文煥;金東熙;李一中;劉芳鈺 | 申請（專利權）人： | 世界中心科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/04 | 分類號： | C23C16/04 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中國臺灣臺中縣梧*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 光電 半導體 工藝 沉積 設備 及其 遮覆框 | ||
1.一種用于光電半導體工藝的沉積設備，其特征在于，所述沉積設備包含：
一加熱器，具有一第一承載面和設置于所述第一承載面外周圍的一第二承載面，所述第一承載面用于支撐一玻璃基板；以及
一遮覆框，設置于所述加熱器的第二承載面上，所述遮覆框具有圍繞中空區域而形成的一框形本體，所述玻璃基板放置于所述框形本體所圍繞的區域內，其中所述遮覆框的內框周面最外側緣與所述加熱器的第一承載面側緣切齊。
2.根據權利要求1所述用于光電半導體工藝的沉積設備，其特征在于，所述遮覆框具有一填充件，所述填充件與所述遮覆框的框形本體固定接合，所述填充件用以填充所述框形本體與所述加熱器第一承載面側緣之間的空隙。
3.根據權利要求2所述用于光電半導體工藝的沉積設備，其特征在于，所述遮覆框具有一鎖固件，所述鎖固件用以將所述填充件與所述框形本體固定。
4.根據權利要求3所述用于光電半導體工藝的沉積設備，其特征在于，所述鎖固件沿著垂直于所述遮覆框的厚度方向將所述填充件固定在框形本體上。
5.根據權利要求3所述用于光電半導體工藝的沉積設備，其特征在于，所述鎖固件沿著所述遮覆框的厚度方向將所述填充件固定在框形本體上。
6.根據權利要求5所述用于光電半導體工藝的沉積設備，其特征在于，所述填充件突出于所述框形本體內框外緣。
7.根據權利要求1所述用于光電半導體工藝的沉積設備，其特征在于，所述遮覆框具有一頂面和一底面，所述遮覆框的底面與所述加熱器的第二承載面貼合，而所述遮覆框的頂面與所述加熱器的第一承載面切齊。
8.根據權利要求1所述用于光電半導體工藝的沉積設備，其特征在于，設置于所述加熱器的第二承載面的遮覆框隨著所述加熱器升降而升降。
9.一種遮覆框，適用于光電半導體工藝的沉積設備中，所述沉積設備包含一加熱器，所述加熱器具有用于支撐玻璃基板的一承載面，其特征在于，所述遮覆框包含：
一框形本體，圍繞一中空區域而形成，所述框形本體所圍繞的中空區域用于置放所述玻璃基板；以及
一填充件，與所述框形本體固定接合，所述填充件用以填充所述框形本體與所述加熱器第一承載面側緣之間的空隙，其中所述框形本體與所述填充件所結合形成的遮覆框，所述遮覆框內側周面最外側緣與所述加熱器的第一承載面側緣切齊。
10.一種遮覆框，適用于光電半導體工藝的沉積設備中，所述沉積設備包含一加熱器，所述加熱器具有用于支撐玻璃基板的一承載面，其特征在于，所述遮覆框包含：
一框形本體，圍繞一中空區域而形成，所述框形本體所圍繞的中空區域用于置放所述玻璃基板，其中所述框形本體內框周面最外側緣與所述加熱器的第一承載面側緣切齊。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
