[發明專利]用于半導體封裝結構的基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310282291.3
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103531573A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 陳天賜;李俊哲;王圣民
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/60;H05K1/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種封裝基板，包括：

一介電層；

一電路層，位于該介電層上或該介電層內；及

數個柱體，位于該電路層上，其中每一柱體具有一頂面，用以形成外部電性連接，且所述柱體的所述頂面彼此大致上共平面。

2.如權利要求1的封裝基板，更包括：

一保護層，位于該電路層上，該保護層具有一開口以顯露部分該電路層及所述柱體。

3.如權利要求1的封裝基板，更包括一中心部、一內電路層及數個內連接金屬，其中該內電路層位于該中心部上，該介電層位于該內電路層上，且該電路層位于該介電層上，其中該介電層具有數個開口以顯露該內電路層，且所述內連接金屬位于該介電層的所述開口中以連接該內電路層及該電路層。

4.如權利要求3的封裝基板，更包括數個導電通道，貫穿該中心部且電性連接該內電路層。

5.如權利要求1的封裝基板，更包括一第二電路層及數個內連接金屬，其中該介電層具有數個開口，且所述內連接金屬位于該介電層的所述開口中以連接該第二電路層及該電路層。

6.如權利要求5的封裝基板，其中該電路層嵌于該介電層，且該第二電路層位于該介電層上。

7.如權利要求5的封裝基板，其中該第二電路層嵌于該介電層，且該電路層位于該介電層上。

8.如權利要求1的封裝基板，其中所述柱體的所述頂面的共平面性為±3μm。

9.一種封裝基板，包括：

一介電層；

一電路層，位于該介電層上或該介電層內；及

數個柱體，位于該電路層上，其中每一柱體的頂端與該介電層的上表面間的距離定義為一高度，且所述柱體所對應的高度的值大致上相等。

10.如權利要求9的封裝基板，其中所述高度的最大值與所述高度的最小值的差小于6μm。

11.如權利要求9的封裝基板，更包括一保護層，位于該電路層上，其中該保護層具有至少一開口，且所述柱體位于同一開口中。

12.如權利要求9的封裝基板，更包括一中心部、一內電路層及數個內連接金屬，其中該內電路層位于該中心部上，該介電層位于該內電路層上，且該電路層位于該介電層上，其中該介電層具有數個開口以顯露該內電路層，且所述內連接金屬位于該介電層的所述開口中以連接該內電路層及該電路層。

13.如權利要求9的封裝基板，更包括一第二電路層及數個內連接金屬，其中該介電層具有數個開口，且所述內連接金屬位于該介電層的所述開口中以連接該第二電路層及該電路層。

14.如權利要求13的封裝基板，其中該電路層嵌于該介電層，且該第二電路層位于該介電層上。

15.如權利要求13的封裝基板，其中該第二電路層嵌于該介電層，且該電路層位于該介電層上。

16.一種封裝基板的制造方法，包括以下步驟：

提供一具有一電路層的介電層，該電路層位于該介電層上或該介電層內；

形成一光阻圖案鄰近于該電路層，其中該光阻圖案具有數個開口；

形成數個柱體于該光阻圖案的所述開口中，其中所述柱體電性連接至該電路層；

平坦化所述柱體，使得每一柱體具有一頂面，且所述柱體的所述頂面彼此大致上共平面；及

移除該光阻圖案。

17.如權利要求16的制造方法，其中提供介電層的步驟更包括以下步驟：

提供一具有一內電路層之中心部，其中該內電路層位于該中心部上；

形成該介電層于該內電路層上，其中該介電層具有數個開口以顯露該內電路層；及

形成該電路層于該介電層上及數個內連接金屬于該介電層的所述開口中以連接該內電路層及該電路層，其中該光阻圖案形成于該電路層上，且所述柱體形成于該電路層上。

18.如權利要求16的制造方法，其中提供介電層的步驟更包括以下步驟：

提供一具有一第二電路層的載體，該第二電路層位于該載體上；

形成該介電層于該第二電路層上，其中該介電層具有數個開口以顯露該第二電路層；

形成該電路層于該介電層上及數個內連接金屬于該介電層的所述開口中以連接該第二電路層及該電路層；及

移除該載體。