[發明專利]編程記憶胞的方法與裝置在審
| 申請號: | 201310282284.3 | 申請日: | 2013-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN104051017A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發明(設計)人: | 張馨文;張耀文;趙元鵬 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/34 | 分類號: | G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 編程 記憶 方法 裝置 | ||
1.一種編程記憶胞的方法,其特征在于其包括以下步驟:
施加一編程電壓至一記憶胞陣列中的一被選擇記憶胞,施加一鄰近通過電壓至一鄰近記憶胞,該鄰近記憶胞相鄰于該被選擇記憶胞;
增加該編程電壓;以及
增加該鄰近通過電壓。
2.根據權利要求1所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中增加該編程電壓的步驟包括:
增加該編程電壓直到該被選擇記憶胞的一臨界電壓到達一第一編程驗證電壓。
3.根據權利要求1所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中增加該鄰近通過電壓的步驟包括:
在該被選擇記憶胞的一臨界電壓到達一第一編程驗證電壓之后,增加該鄰近通過電壓。
4.根據權利要求3所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中增加該鄰近通過電壓的步驟包括:
增加該鄰近通過電壓直到該臨界電壓到達一第二編程驗證電壓,該第二編程驗證電壓高于該第一編程驗證電壓。
5.根據權利要求1所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其還包括:
施加一通過電壓至該記憶胞陣列中的其他記憶胞,該通過電壓在該編程記憶胞的方法中維持大約相同。
6.根據權利要求1所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其還包括:
當增加該編程電壓時,維持該鄰近通過電壓大約相同。
7.根據權利要求6所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中維持該鄰近通過電壓大約相同的步驟包括:
維持該鄰近通過電壓大約相同于施加至該記憶胞陣列中其他記憶胞的一通過電壓,該通過電壓在該編程記憶胞的方法中維持大約相同。
8.根據權利要求3所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其還包括:
當增加該鄰近通過電壓時,維持該編程電壓大約相同。
9.根據權利要求8所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中維持該編程電壓大約相同的步驟包括:
維持該編程電壓大約相同于該臨界電壓到達該第一編程驗證電壓時該編程電壓的一電壓值。
10.根據權利要求1所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中該施加電壓的步驟包括以脈沖波形式施加該編程電壓以及施加該鄰近通過電壓。
11.根據權利要求10所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中增加該編程電壓的步驟包括以脈沖波增加該編程電壓的脈沖波。
12.根據權利要求10所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中增加該鄰近通過電壓的步驟包括以脈沖波增加該鄰近通過電壓的脈沖波。
13.根據權利要求1所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中施加該鄰近通過電壓至該鄰近記憶胞的步驟包括:
施加一電壓作為該鄰近通過電壓,該電壓足以導通該鄰近記憶胞。
14.根據權利要求1所述的編程記憶胞的方法,其特征在于其中該鄰近記憶胞是鄰近該被選擇記憶胞的二個鄰近記憶胞的第一個,該方法還包括:
施加該鄰近通過電壓至該二鄰近記憶胞的第二個。
15.一種編程記憶胞的裝置,其特征在于其包括:
一編程電壓產生器,用以產生一編程電壓,該編程電壓被施加至一記憶胞陣列中的一被選擇記憶胞,該編程電壓產生器增加該編程電壓以編程該被選擇記憶胞;以及
一鄰近通過電壓產生器,用以產生一鄰近通過電壓,該鄰近通過電壓被施加至該被選擇記憶胞鄰近的一鄰近記憶胞,該鄰近通過電壓產生器增加該鄰近通過電壓以編程該被選擇記憶胞。
16.根據權利要求15所述的編程記憶胞的裝置,其特征在于其中該編程電壓產生器還用以增加該編程電壓直到該被選擇記憶胞的一臨界電壓到達一第一編程驗證電壓。
17.根據權利要求15所述的編程記憶胞的裝置,其特征在于其中該鄰近通過電壓產生器還用以增加該鄰近通過電壓直到該被選擇記憶胞的一臨界電壓到達一第二編程驗證電壓。
18.根據權利要求15所述的編程記憶胞的裝置,其特征在于其中該鄰近通過電壓產生器還用以在該編程電壓產生器增加該編程電壓時,維持該鄰近通過電壓大約相同。
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