[發明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201310282242.X
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103337479A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 徐向陽;杜雷;王盛
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及平板顯示器制造領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法。

背景技術

平板顯示器已取代笨重的CRT顯示器日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示器包括液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，LCD)和有機發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode，OLED)顯示器。上述平板顯示器具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。

陣列基板是顯示器的重要組成部分，其中薄膜場效應晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）陣列基板是目前廣泛應用的一種類型的陣列基板。對于TFT陣列基板而言，TFT開關通常由柵電極、源漏電極以及與源漏電極電連接的有源層組成，有源層之上設置有阻擋層。在形成源漏電極時，阻擋層用于保護有源層不被破壞，從而提高TFT開關的性能。而數據線通常與源漏電極設置于同一金屬層，柵線與柵電極設置于同一金屬層，參考圖1所示的數據線與柵線交疊處的剖面示意圖，包括數據線1、柵線2、柵絕緣層3和阻擋層4。其中，柵極絕緣層3和阻擋層4通常采用SiOx或SiOx/SiNx，其致密性較差，因此，柵絕緣層3或阻擋層4與相鄰的金屬層之間的接觸面會存在氣泡狀間隙（例如圖1所示的數據線1與阻擋層4之間），在刻蝕數據線時，由于阻擋層與形成數據線的金屬之間的接觸面存在氣泡狀間隙，因此刻蝕液會沿著這些氣泡狀間隙滲入到阻擋層與數據線的接觸面，使數據線被腐蝕，造成數據線斷裂，該不良現象在爬坡處尤為嚴重，該爬坡處可以理解為柵絕緣層或阻擋層上高度變化的位置，通常與柵電極或柵線的位置對應（例如圖1所示的數據線1與柵線2交疊處的爬坡處5，高度由低到高變化，形成爬坡）。

發明內容

本發明的目的是提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法，解決現有技術中阻擋層與形成數據線的金屬之間的接觸面存在氣泡狀間隙，進行數據線刻蝕時，容易出現數據線斷裂的問題。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：

本發明實施例提供一種陣列基板，包括一基板和形成在基板上的薄膜場效應晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）和數據線，所述薄膜場效應晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極，所述柵電極和所述有源層之間形成有柵絕緣層，所述陣列基板包括：

保護層，形成于所述柵絕緣層與所述數據線之間，且與所述數據線直接接觸；所述保護層與所述有源層同層設置且材料相同。

優選的，所述保護層為ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO或ZrInZnO。

優選的，所述保護層的厚度為

優選的，所述薄膜場效應晶體管為底柵型薄膜場效應晶體管。

優選的，包括阻擋層，形成于所述有源層之上以及所述保護層之外的柵絕緣層之上。

優選的，包括像素電極、公共電極和形成于所述像素電極和所述公共電極之間的鈍化層，所述像素電極形成于所述阻擋層之上。

優選的，包括阻擋層，所述阻擋層僅形成于所述有源層之上。

優選的，包括像素電極、公共電極和形成于所述像素電極和所述公共電極之間的鈍化層，所述像素電極形成于所述柵絕緣層之上，所述像素電極與所述漏極電連接。

優選的，包括與所述柵電極同層設置且同步形成的柵線，所述柵線的位置與所述保護層的位置對應。

本實施例有益效果如下：數據線與柵絕緣層之間設置與二者直接接觸的保護層，保護層與數據線之間不存在間隙氣泡且具有較強的抗腐蝕能力，當進行數據線刻蝕時，對數據線進行保護，避免數據線被腐蝕而出現斷裂；同時金屬保護層的材料為ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO或ZrInZnO，其柔軟性優于金屬材料，在爬坡處不宜斷裂，也有助于減少數據線出現斷裂。

本發明實施例提供一種顯示裝置，包括如上述的陣列基板。

本發明實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：

提供一基板，基板上形成有薄膜場效應晶體管的柵極，柵極所在的第一金屬層之上形成有柵絕緣層；

在提供的基板上，形成保護層的薄膜，通過構圖工藝形成包括所述保護層的圖案；

在形成所述保護層的基板上，形成第二金屬層的薄膜，通過構圖工藝形成包括數據線的圖案，所述數據線與所述保護層直接接觸；

其中，所述薄膜場效應晶體管的有源層與所述保護層同層設置且材料相同，所述薄膜場效應晶體管的源電極、漏電極和所述數據線同層設置且同步完成。