[發明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201310282242.X
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103337479A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 徐向陽;杜雷;王盛
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括一基板和形成在基板上的薄膜場效應晶體管和數據線，所述薄膜場效應晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極，所述柵電極和所述有源層之間形成有柵絕緣層，其特征在于，所述陣列基板包括：

保護層，形成于所述柵絕緣層與所述數據線之間，且與所述數據線直接接觸；所述保護層與所述有源層同層設置且材料相同。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層為ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO或ZrInZnO。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層的厚度為200～2000

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜場效應晶體管為底柵型薄膜場效應晶體管。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，包括阻擋層，形成于所述有源層之上以及所述保護層之外的柵絕緣層之上。

6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，包括像素電極、公共電極和形成于所述像素電極和所述公共電極之間的鈍化層，所述像素電極形成于所述阻擋層之上，所述像素電極與所述漏極電連接。

7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，包括阻擋層，所述阻擋層形成于所述有源層上位于后續形成的源、漏電極之間的區域。

8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，包括像素電極、公共電極和形成于所述像素電極和所述公共電極之間的鈍化層，所述像素電極形成于所述柵絕緣層之上。

9.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，包括與所述柵電極同層設置且同步形成的柵線，所述柵線的位置與所述保護層的位置對應。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至9任一項所述的陣列基板。

11.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，基板上形成有薄膜場效應晶體管的柵極，柵極所在的第一金屬層之上形成有柵絕緣層；

在基板上，形成保護層的薄膜，通過構圖工藝形成包括所述保護層的圖案；

在形成所述保護層的基板上，形成第二金屬層的薄膜，通過構圖工藝形成包括數據線的圖案，所述數據線與所述保護層直接接觸；

其中，所述薄膜場效應晶體管的有源層與所述保護層同層設置且材料相同，所述薄膜場效應晶體管的源電極、漏電極和所述數據線同層設置且同步完成。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，包括：

在形成所述第二金屬層的基板上，形成阻擋層的薄膜，通過構圖工藝形成包括阻擋層的圖形。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，包括：

在形成所述阻擋層的基板上，形成第一導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖形，且所述像素電極與所述漏電極電連接；

在形成所述像素電極的基板上，形成鈍化層；

在形成所述鈍化層的基板上，形成第二導電薄膜，通過構圖工藝形成包括公共電極的圖形。

14.如權利要求11所述的方法，其特征在于，陣列基板的柵線與所述柵電極同層設置且同步形成，所述柵線的位置與所述保護層的位置對應。