[發明專利]半導體晶片表面保護用膠帶及半導體晶片的制造方法

有效

• 申請號: 201310279317.9
• 申請日: 2013-07-04
• 公開（公告）號: CN103525324A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 大倉雅人
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

技術領域

本發明涉及半導體晶片表面保護用膠帶及半導體晶片的制造方法。進一步詳細而言，本發明涉及可以適用于其表面具有凹凸的半導體晶片的背面磨削(Back?grinding)工序的半導體晶片表面保護用膠帶及半導體晶片的制造方法。

背景技術

在半導體晶片的制造工序中，對于形成圖案后的半導體晶片來說，為了使其厚度變薄，通常對半導體晶片背面實施背面磨削、蝕刻等處理。此時，以保護半導體晶片表面的圖案作為目的，將半導體晶片表面保護用膠帶貼附在該圖案面上。半導體晶片表面保護用膠帶通常是在基材膜上層積粘合劑層而成的，并且是將粘合劑層貼附在半導體晶片的表面上來使用的。

近年來，伴隨移動電話或便攜式電腦等的小型化、高功能化，開發出了與線焊(Wire?bonding)相比能夠以較為節省空間的方式進行安裝的倒裝芯片(Flip?chip)安裝。倒裝芯片安裝中，在將芯片表面與基板進行電連接時，通過在半導體晶片表面上所形成的球狀或圓柱狀的凸點(bump)來進行連接。在如此形成有凸點的半導體晶片的背面磨削工序中，因該半導體晶片的形狀會導致切削水進入半導體晶片與膠帶之間從而使產生滲漏(seepage)的風險升高，該滲漏會導致半導體晶片受到污染，因此要求半導體晶片與膠帶之間更強的密合性，但若提高密合性，則膠帶的剝離性變差。特別是，半導體晶片的厚度正在傾向于越來越薄，加工成100μm以下的厚度并不少見，因而剝離性的變差易導致半導體晶片破損。

為了解決上述問題，提出了如下方案：使用放射線固化型粘合劑，在將半導體晶片表面保護用膠帶剝離時使粘合力下降(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-215769號公報

發明內容

發明要解決的問題

但是，對于以往的放射線固化型的膠帶來說，若對其進行放射線固化，則有時粘合劑會侵入到凸點等半導體晶片表面的凹凸，固著效果(anchor?effect)增強，變得難以剝離，這種情況下，會產生凸點部的破損、或剝離后粘合劑殘留在半導體晶片的表面上這樣的問題。隨著以提高半導體的可靠性為目的的、凸點的高凸點化及凸點間距離的窄間距化，上述問題更加顯著。

因此，本發明的課題在于提供一種半導體晶片表面保護用膠帶以及使用了該膠帶的半導體晶片的制造方法，所述半導體晶片表面保護用膠帶在半導體晶片加工時可以牢固地密合在半導體晶片上，并且在剝離時可以在沒有半導體晶片破碎或余膠的情況下進行剝離。

用于解決問題的手段

鑒于上述問題，本發明人進行深入了研究，結果發現放射線照射前后的粘合力和固化收縮值是很重要的，并且進一步反復進行了深入研究，從而完成了本發明。

即，上述課題可以通過以下手段來達成。

(1)一種半導體晶片表面保護用膠帶，其是貼合在半導體晶片并在進行背面磨削時所使用的表面保護用膠帶，

所述半導體晶片表面保護用膠帶的特征在于，

所述半導體晶片表面保護用膠帶在基材膜上至少具有1層放射線固化型粘合劑層，且下述固化收縮值S為0.3～1.8，放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力A為1.5N/25mm～20N/25mm、且放射線照射后的粘合力B為0.01N/25mm～1.5N/25mm，

在所述半導體晶片的半導體晶片表面保護用膠帶的貼合面一側的表面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差為10μm～300μm，所述放射線固化型粘合劑層的厚度為1μm～30μm。

固化收縮值S={(B/A)/(D/C)}

(上述式中，A表示放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，B表示放射線照射后的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，C表示放射線照射前的膠帶面上的膠粘力(峰值)，D表示放射線照射后的膠帶面上的膠粘力(峰值))。

(2)如(1)所述的半導體晶片表面保護用膠帶，其特征在于，在所述基材膜與所述放射線固化型粘合劑層之間具有放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構成的中間層，所述放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構成的中間層在25℃或60℃的儲能模量為1×10⁴Pa～1×10⁶Pa。

(3)如(1)或(2)所述的半導體晶片表面保護用膠帶，其特征在于，在具有所述放射線固化型粘合劑層一側的基材膜上所存在的層的總厚度大于等于在所述半導體晶片面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的所述最大差。