[發明專利]半導體晶片表面保護用膠帶及半導體晶片的制造方法

有效

• 申請號: 201310279317.9
• 申請日: 2013-07-04
• 公開（公告）號: CN103525324A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 大倉雅人
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

1.一種半導體晶片表面保護用膠帶，其是貼合在半導體晶片并在進行背面磨削時所使用的表面保護用膠帶，

所述半導體晶片表面保護用膠帶的特征在于，

所述半導體晶片表面保護用膠帶在基材膜上至少具有1層放射線固化型粘合劑層，且下述固化收縮值S為0.3～1.8，放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力A為1.5N/25mm～20N/25mm、且放射線照射后的粘合力B為0.01N/25mm～1.5N/25mm，

在所述半導體晶片的半導體晶片表面保護用膠帶的貼合面一側的表面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差為10μm～300μm，所述放射線固化型粘合劑層的厚度為1μm～30μm，

固化收縮值S={(B/A)/(D/C)}

上述式中，A表示放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，B表示放射線照射后的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，C表示放射線照射前的膠帶面上的膠粘力，D表示放射線照射后的膠帶面上的膠粘力。

2.如權利要求1所述的半導體晶片表面保護用膠帶，其特征在于，在所述基材膜與所述放射線固化型粘合劑層之間具有放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構成的中間層，所述放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構成的中間層在25℃或60℃的儲能模量為1×10⁴Pa～1×10⁶Pa。

3.如權利要求1或2所述的半導體晶片表面保護用膠帶，其特征在于，在具有所述放射線固化型粘合劑層一側的基材膜上所存在的層的總厚度大于等于在所述半導體晶片面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的所述最大差。

4.一種半導體晶片的制造方法，該半導體晶片的制造方法包括下述工序：利用在基材膜上具有粘合劑層的表面保護用膠帶來保護半導體晶片的晶片表面，對該晶片的背面進行磨削從而對半導體晶片進行加工；

所述半導體晶片的制造方法的特征在于，

所述表面保護用膠帶在基材膜上至少具有1層放射線固化型粘合劑層，且下述固化收縮值S為0.3～1.8，放射線照射前的相對于不銹鋼研磨面的粘合力A為1.5N/25mm～20N/25mm、且放射線照射后的粘合力B為0.01N/25mm～1.5N/25mm，

在所述半導體晶片的半導體晶片表面保護用膠帶的貼合面一側的表面存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差為10μm～300μm，所述放射線固化型粘合劑層的厚度為1μm～30μm，

固化收縮值S={(B/A)/(D/C)}

上述式中，A表示放射線照射前的對不銹鋼的研磨面的粘合力，B表示放射線照射后的對不銹鋼的研磨面的粘合力，C表示放射線照射前的膠帶面上的膠粘力，D表示放射線照射后的膠帶面上的膠粘力。

5.如權利要求4所述的半導體晶片的制造方法，其特征在于，所述表面保護用膠帶在所述基材膜與所述放射線固化型粘合劑層之間具有放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構成的中間層，所述放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構成的中間層在25℃或60℃的儲能模量為1×10⁴Pa～1×10⁶Pa。

6.如權利要求4或5所述的半導體晶片的制造方法，其特征在于，在具有所述放射線固化型粘合劑層一側的基材膜上所存在的層的總厚度大于等于在所述半導體晶片面存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的所述最大差。