[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310278662.0 | 申請日: | 2013-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN104103422A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金亨俊 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/005;H01G4/002;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 施娥娟;董彬 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 陶瓷 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種多層陶瓷電容器,包括:
陶瓷本體,所述陶瓷本體具有相互朝向的第一側(cè)面和第二側(cè)面,以及連接所述第一側(cè)面和第二側(cè)面的第三端面和第四端面;
多個內(nèi)部電極,所述多個內(nèi)部電極形成在所述陶瓷本體中并且具有暴露于所述第三端面或所述第四端面的一端;以及
第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部,所述第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部從所述第一側(cè)面和第二側(cè)面至所述內(nèi)部電極的邊緣地形成;
其中,在所述陶瓷本體的寬度方向上,所述內(nèi)部電極的兩個邊緣包括氧化區(qū),在所述內(nèi)部電極中,除了最上端和最下端的內(nèi)部電極之外,有助于電容形成的內(nèi)部電極的所述氧化區(qū)的最大長度Lmax為3μm或者小于3μm,并且長度標(biāo)準(zhǔn)偏差為1μm或者小于1μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部的平均厚度為18μm或者小于18μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部由陶瓷漿料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述內(nèi)部電極包括第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極,所述第一內(nèi)部電極的一端暴露于所述第三端面,另一端形成為與所述第四端面具有預(yù)定的間隔,所述第二內(nèi)部電極的一端暴露于所述第四端面,另一端形成為與所述第三端面具有預(yù)定的間隔。
5.一種制造多層陶瓷電容器的方法,該方法包括:
制備第一陶瓷基片和第二陶瓷基片,所述第一陶瓷基片包括相互之間具有預(yù)定間隔的多個帶形第一內(nèi)部電極圖案,所述第二陶瓷基片包括相互之間具有預(yù)定間距的多個帶形第二內(nèi)部電極圖案;
通過堆疊所述第一陶瓷基片和第二陶瓷基片,使得所述帶形第一內(nèi)部電極圖案和所述帶形第二內(nèi)部電極圖案彼此相交,以形成陶瓷基片多層體;
切割所述陶瓷基片多層體,同時橫切所述帶形第一內(nèi)部電極圖案和帶形第二內(nèi)部電極圖案,使得第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極具有預(yù)定的寬度和側(cè)面,所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣在寬度方向上暴露于所述側(cè)面;以及
通過使用陶瓷漿料分別在所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的所述邊緣暴露的側(cè)面上形成第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部,
其中,在所述陶瓷本體的寬度方向上,所述內(nèi)部電極的兩個邊緣包括氧化區(qū),在所述內(nèi)部電極中,除了最上端和最下端的內(nèi)部電極之外,有助于電容形成的內(nèi)部電極的所述氧化區(qū)的最大長度Lmax為3μm或者小于3μm,并且長度標(biāo)準(zhǔn)偏差為1μm或者小于1μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,在形成所述陶瓷基片多層體中,堆疊所述陶瓷基片,使得所述帶形第一內(nèi)部電極圖案的中部和所述帶形第二內(nèi)部電極圖案之間的預(yù)定間隔相互重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,切割所述陶瓷基片多層體包括:
將所述陶瓷基片多層體切割成條形多層體,每一個條形多層體具有側(cè)面,所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣暴露于所述側(cè)面;以及
在形成所述第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部之后,沿著相同的切割線切割所述第一內(nèi)部電極的中部和所述第二內(nèi)部電極之間的預(yù)定間隔,以形成所述多層體,每個所述多層體具有第三端面和第四端面,所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的一端分別暴露于所述第三端面和第四端面。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,切割所述陶瓷基片多層體包括:
將所述陶瓷基片多層體切割成條形多層體,每一個條形多層體具有側(cè)面,所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣暴露于所述側(cè)面,以及沿著相同的切割線切割所述第一內(nèi)部電極的中部和所述條形多層體中的所述第二內(nèi)部電極之間的預(yù)定間隔,以形成所述多層體,每一個所述多層體具有第三端面和第四端面,所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的一端分別暴露于所述第三端面和第四端面,并且
在所述多層體上完成所述第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部的形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部的形成通過向所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣暴露于的所述側(cè)面施加陶瓷漿料來完成。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部的形成通過使所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的邊緣暴露于的所述側(cè)面浸入到陶瓷漿料中來完成。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部的平均厚度為18μm或者小于18μm。
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