[發(fā)明專利]應(yīng)用于馬達(dá)的驅(qū)動切換系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310277100.4
• 申請日: 2013-07-03
• 公開（公告）號: CN104283488A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳炫全
• 申請（專利權(quán)）人: 遠(yuǎn)翔科技股份有限公司
• 主分類號: H02P27/08
• 分類號: H02P27/08
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;常大軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于馬達(dá)的驅(qū)動切換系統(tǒng)，尤其涉及一種依據(jù)第一反沖電壓與第二反沖電壓，以判斷出達(dá)到預(yù)設(shè)的閾值時，切換導(dǎo)通場效晶體管以驅(qū)動馬達(dá)的驅(qū)動切換系統(tǒng)。

背景技術(shù)

隨著時代的進(jìn)步與發(fā)展，馬達(dá)普遍應(yīng)用于人們的生活當(dāng)中，進(jìn)而帶來人們生活相當(dāng)?shù)谋憷Ｆ渲校趥鹘y(tǒng)馬達(dá)的驅(qū)動電路中，包含了H橋式電路以及驅(qū)動模塊，H橋式電路中包含了二P型金氧半場效晶體管（P-type?Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor;PMOSFET）以及二N型金氧半場效晶體管（N-type?Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor;PMOSFET），而一PMOS場效晶體管是與一NMOS場效晶體管相互串聯(lián)后，再經(jīng)由一線圈而與另一組串聯(lián)的PMOS場效電晶與NMOS場效晶體管電性連接，而二PMOS場效晶體管是電性連接來源電壓，二NMOS場效晶體管是接地，且驅(qū)動模塊電性連接于上述的PMOS場效晶體管與NMOS場效晶體管。

在現(xiàn)有技術(shù)中，以H橋式電路驅(qū)動馬達(dá)時，在馬達(dá)換相的過程而使電流中斷時，使得線圈上的電流在中斷的過程中，線圈二端的電壓（PMOS場效晶體管與NMOS場效晶體管的電性連接點(diǎn)）會產(chǎn)生反沖電壓（kickback?voltage），此反沖電壓的值會高過來源電壓所具有的電壓值VDD或是低于接地值VSS，進(jìn)而導(dǎo)致上述PMOS場效晶體管與NMOS場效晶體管的破壞，進(jìn)而使得馬達(dá)在驅(qū)動的過程中發(fā)生不順而降低效率甚至損壞。

此外，由于PMOS場效晶體管與NMOS場效晶體管的特性，其普遍存在有寄生二極管，而此寄生二極管雖然可以增加反沖電壓的容忍范圍（如VDD+Vd至VSS-Vd），但實(shí)際上在馬達(dá)驅(qū)動電路的實(shí)務(wù)中，在反沖電壓的產(chǎn)生使此寄生二極管導(dǎo)通時，會造成馬達(dá)驅(qū)動的錯誤，或是PMOS場效晶體管或NMOS場效晶體管的閂鎖效應(yīng)（latch-up）所產(chǎn)生的大電流而造成整體集成電路的損壞。

綜合以上所述，現(xiàn)有的馬達(dá)驅(qū)動電路中，由于反沖電壓會造成PMOS場效晶體管與NMOS場效晶體管的破壞，且有一定的機(jī)率會使馬達(dá)驅(qū)動過程中產(chǎn)生錯誤，以及閂鎖效應(yīng)造成集成電路的損壞，因此，實(shí)有必要提出一種可因應(yīng)反沖電壓而進(jìn)行處理的馬達(dá)驅(qū)動電路。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于現(xiàn)有馬達(dá)的驅(qū)動電路中，普遍具有反沖電壓造成PMOS與NMOS場效晶體管的損壞、馬達(dá)驅(qū)動的錯誤以及集成電路的損壞的問題。緣此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種應(yīng)用于馬達(dá)的驅(qū)動切換系統(tǒng)，其主要是依據(jù)線圈二端的反沖電壓，藉以在判斷出反沖電壓達(dá)到預(yù)設(shè)的閾值時，通過不同的切換方式選擇導(dǎo)通場效晶體管，藉以降低反沖電壓的破壞。

基于上述目的，本發(fā)明所采用的主要技術(shù)手段是提供一種應(yīng)用于馬達(dá)的驅(qū)動切換系統(tǒng)，用以驅(qū)動一馬達(dá)，其包含一H橋式電路、至少一反沖電壓檢測模塊以及至少一驅(qū)動控制模塊。H橋式電路包含一第一P型金氧半場效晶體管（P-type?Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor;PMOSFET）、一第一N型金氧半場效晶體管（N-type?Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor;NMOSFET）、一第二PMOS場效晶體管以及一第二NMOS場效晶體管。第一NMOS場效晶體管電性連接于第一PMOS場效晶體管而具有一第一電性連接端，第二NMOS場效晶體管電性連接于第二PMOS場效晶體管而具有一第二電性連接端，而第一電性連接端與第二電性連接端電性連接至少一線圈。

反沖電壓檢測模塊設(shè)有一第一閾值與一第二閾值，并且電性連接于第一電性連接端與第二電性連接端，用以檢測第一電性連接端的一第一反沖電壓與第二電性連接端的一第二反沖電壓，藉以依據(jù)第一反沖電壓與第二反沖電壓發(fā)送出一檢測信號。驅(qū)動控制模塊電性連接于反沖電壓檢測模塊，用以接收檢測信號，并且在一第一切換階段、一第二切換階段以及一第三切換階段中，切換第一PMOS場效晶體管、第二PMOS場效晶體管、第一NMOS場效晶體管與第二NMOS場效晶體管，藉以驅(qū)動馬達(dá)。