[發明專利]一種基于框架采用切割道優化技術的扁平封裝件的制作工藝在審
| 申請號: | 201310275615.0 | 申請日: | 2013-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN103400806A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發明(設計)人: | 李萬霞;李站;崔夢;魏海東 | 申請(專利權)人: | 華天科技(西安)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/98 | 分類號: | H01L21/98 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 框架 采用 切割 優化 技術 扁平封裝 制作 工藝 | ||
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技術領域
本發明涉及集成電路封裝技術領域,具體是一種基于框架采用切割道優化技術的扁平封裝件的制作工藝。
背景技術
QFN(四面扁平無引腳封裝)及DFN(雙扁平無引腳封裝)封裝是在近幾年隨著通訊及便攜式小型數碼電子產品(數碼相機、手機、PC、MP3)的產生而發展起來的、適用于高頻、寬帶、低噪聲、高導熱、小體積、高速度等電性要求的中小規模集成電路的封裝。QFN/DFN封裝有效地利用了引線腳的封裝空間,從而大幅度地提高了封裝效率。但目前大部分半導體封裝廠商QFN/DFN的制造過程中都面臨一些工藝困惑,原因是現有QFN/DFN工藝的塑封工序中,由于框架結構的局限性,使用的臺階狀引線框架的防缺陷(分層)工藝措施并非完全有效,導致QFN/DFN封裝存在以下不足:
QFN、DFN系列扁平封裝件在切割過程中會有造成毛刺的風險,降低產品封裝可靠性。框架與塑封料結合方面也容易引起分層,造成產品的不良。
發明內容
為了克服上述現有技術存在的問題,本發明的目的是提供一種基于框架采用切割道優化技術的扁平封裝件的制作工藝,集成電路框架與塑封體結合更加牢固,不受外界環境影響,在切割工序中能有效避免產品毛刺以及分層,進一步提高產品可靠性。
一種基于框架的扁平封裝件主要由引線框架、粘片膠、芯片、鍵合線和塑封體組成。所述引線框架與芯片通過粘片膠連接,鍵合線連接引線框架和芯片,塑封體包圍了引線框架、粘片膠、芯片和鍵合線。塑封體對芯片和鍵合線起到了支撐和保護作用。芯片、鍵合線、塑封體、引線框架構成了電路的電源和信號通道。
一種基于框架采用切割道優化技術的扁平封裝件的制作工藝如下:晶圓減薄→劃片→上芯(粘片)→壓焊→塑封→后固化→蝕刻切割道→切割→檢驗→包裝→入庫。
一種基于框架采用切割道優化技術的扁平封裝件的制作工藝,按照以下步驟進行:
第一步、晶圓減薄:晶圓減薄厚度50μm~200μm,粗糙度Ra?0.10mm~0.05mm?;
第二步、劃片:150μm以上晶圓同普通QFN/DFN劃片工藝,但厚度在150μm以下晶圓,使用雙刀劃片機及其工藝;
第三步、上芯(粘片):既可采用粘片膠又可采用膠膜片(DAF)上芯;
第四步、壓焊、塑封、后固化,與常規QFN/DFN工藝相同;
第五步、蝕刻切割道,產品分離:使用化學溶液將引線框架的切割道部分全部蝕刻,在引線框架的切割道部分蝕刻掉之后,再進行產品的分離;
第六步、檢驗、包裝等均與常規QFN/DFN工藝相同。
附圖說明
圖1引線框架剖面圖;
圖2產品上芯后剖面圖;
圖3產品壓焊后剖面圖;
圖4產品塑封后剖面圖;
圖5?產品切割道引線框架蝕刻前剖面圖;
圖6產品切割道引線框架蝕刻后剖面圖;
圖7產品分離后剖面圖;
圖8成品剖面圖。
圖中,1為引線框架,2為粘片膠,3為芯片,4為鍵合線,5為塑封體。
具體實施方式
以下根據附圖對該發明做進一步的說明。
如圖8所示,一種基于框架的扁平封裝件主要由引線框架1、粘片膠2、芯片3、鍵合線4和塑封體5組成。所述引線框架1與芯片3通過粘片膠2連接,鍵合線4連接引線框架1和芯片3,塑封體5包圍了引線框架1、粘片膠2、芯片3和鍵合線4。塑封體5對芯片3和鍵合線4起到了支撐和保護作用。芯片3、鍵合線4、塑封體5、引線框架1構成了電路的電源和信號通道。
一種基于框架采用切割道優化技術的扁平封裝件的工藝流程如下:晶圓減薄→劃片→上芯(粘片)→壓焊→塑封→后固化→蝕刻切割道→切割→檢驗→包裝→入庫。
如圖所示,一種基于框架采用切割道優化技術的扁平封裝件的制作工藝,按照以下步驟進行:
第一步、晶圓減薄:晶圓減薄厚度50μm~200μm,粗糙度Ra?0.10mm~0.05mm?;
第二步、劃片:150μm以上晶圓同普通QFN/DFN劃片工藝,但厚度在150μm以下晶圓,使用雙刀劃片機及其工藝;
第三步、上芯(粘片):既可采用粘片膠又可采用膠膜片(DAF)上芯;
第四步、壓焊,塑封,后固化,與常規QFN/DFN工藝相同;
第五步、蝕刻切割道,產品分離:使用化學溶液將引線框架的切割道部分全部蝕刻,在引線框架的切割道部分蝕刻掉之后,再進行產品的分離;
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





