[發明專利]一種基于框架采用切割道優化技術的扁平封裝件的制作工藝在審
| 申請號： | 201310275615.0 | 申請日： | 2013-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN103400806A | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 李萬霞;李站;崔夢;魏海東 | 申請（專利權）人： | 華天科技（西安）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/98 | 分類號： | H01L21/98 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710018 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 框架 采用 切割 優化 技術 扁平封裝 制作 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于框架采用切割道優化技術的扁平封裝件的制作工藝，其特征在于：按照以下步驟進行：
第一步、晶圓減薄：晶圓減薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra?0.10mm～0.05mm?；
第二步、劃片：150μm以上晶圓同普通QFN/DFN劃片工藝，但厚度在150μm以下晶圓，使用雙刀劃片機及其工藝；
第三步、上芯（粘片）：既可采用粘片膠又可采用膠膜片（DAF）上芯；
第四步、壓焊、塑封、后固化，與常規QFN/DFN工藝相同；
第五步、蝕刻切割道，產品分離：使用化學溶液將引線框架的切割道部分全部蝕刻，在引線框架的切割道部分蝕刻掉之后，再進行產品的分離；
第六步、檢驗、包裝等均與常規QFN/DFN工藝相同。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
