[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及顯示器

在審

• 申請號: 201310272556.1
• 申請日: 2013-07-01
• 公開（公告）號: CN103367165A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 閻長江;蔣曉緯;姜曉輝;謝振宇;陳旭
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示器。

背景技術

圖1為現有技術中底柵型薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）的結構示意圖，該薄膜晶體管包括：形成于襯底基板10上的柵極60、柵極絕緣層70、源極20、漏極30、半導體有源層40和保護層90。包含薄膜晶體管的陣列基板還包括鈍化層50和像素電極80。底柵型的薄膜晶體管柵極60可以阻擋背光源的光照，避免半導體有源層40受背光源的光照而導致薄膜晶體管產生漏電流。該結構的薄膜晶體管為了避免外界環境中水及氧氣等對半導體有源層40的影響，在半導體有源層40的上方設置了一層保護層90，保護層90可以避免金屬氧化物半導體有源層40受外界水及氧氣的影響，而該結構中的保護層90多為非金屬，會導致薄膜晶體管產生漏電流。圖2為現有技術的頂柵型薄膜晶體管的結構示意圖，該薄膜晶體管包括：形成于襯底基板100上的漏極200、源極300、有源層400、柵極絕緣層500、柵極600。包含薄膜晶體管的陣列基板（Array）還包含鈍化層700和像素電極800。在圖2所示的頂柵型薄膜晶體管中，柵極600可以阻擋外界光照對半導體有源層400的影響，漏極200與源極300之間斷開，背光源的光可以穿過透明的襯底基板100照射到半導體有源層400，而半導體有源層400與漏極200相接觸，同時半導體有源層400與源極300相接觸，半導體有源層400受到光照后會將漏極200和源極300導通，從而導致薄膜晶體管產生漏電流。

綜上所述，現有技術中的頂柵型的薄膜晶體管容易受到背光源影響而產生漏電流。

發明內容

本發明實施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及顯示器，本發明實施例提供的薄膜晶體管可以避免半導體有源層受到光照影響而導致薄膜晶體管產生漏電流的問題。

本發明實施例提供的一種薄膜晶體管，包括源極和漏極、半導體有源層、柵極絕緣層和柵極，該薄膜晶體管還包括：位于源極與漏極之間的遮光板，所述遮光板將源極與漏極阻斷，并且該遮光板位于半導體有源層入射光側，用于阻擋入射光對半導體有源層的照射。

本發明實施例提供的一種陣列基板，包括所述的薄膜晶體管。

本發明實施例提供的一種顯示器，包括所述的陣列基板。

本發明實施例提供的一種薄膜晶體管制作方法，該方法包括：制作源極、漏極和遮光板，其中，所述遮光板位于所述源極與所述漏極之間，并將源極與漏極阻斷；制作半導體有源層，所述遮光板位于半導體有源層的入射光側，阻擋入射光對半導體有源層的照射；在源極、漏極和半導體有源層上方制作柵極絕緣層和柵極。

綜上所述，本發明實施例的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及顯示器，所述薄膜晶體管包括源極和漏極、半導體有源層、柵極絕緣層和柵極，該薄膜晶體管還包括：位于源極與漏極之間的遮光板，所述遮光板將源極與漏極阻斷，并且該遮光板位于半導體有源層入射光側，用于阻擋入射光對半導體有源層的照射，從而可以避免半導體有源層受到光照影響而導致薄膜晶體管產生漏電流的問題，有效的實現了高穩定的薄膜晶體管特性。

附圖說明

圖1為現有技術中底柵型薄膜晶體管的結構示意圖；

圖2為現有技術中頂柵型薄膜晶體管的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖；

圖4-圖12分別為本發明實施例提供的一種薄膜晶體管在制作過程中的不同階段的結構示意圖。

具體實施方式

本發明實施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及顯示器，用以避免半導體有源層受到光照影響而導致薄膜晶體管產生漏電流的問題。

本發明實施例提供的一種薄膜晶體管，包括源極和漏極、半導體有源層、柵極絕緣層和柵極，該薄膜晶體管還包括：位于源極與漏極之間的遮光板，所述遮光板將源極與漏極阻斷，該遮光板位于半導體有源層入射光側，阻擋入射光對半導體有源層的照射。