[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及顯示器在審
| 申請號： | 201310272556.1 | 申請日： | 2013-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN103367165A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 閻長江;蔣曉緯;姜曉輝;謝振宇;陳旭 | 申請（專利權）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 及其 制作方法 陣列 顯示器 | ||
1.一種薄膜晶體管，包括源極和漏極、半導體有源層、柵極絕緣層和柵極，其特征在于，該薄膜晶體管還包括：位于源極與漏極之間的遮光板，所述遮光板將源極與漏極阻斷，所述遮光板位于半導體有源層的入射光側，阻擋入射光對半導體有源層的照射。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述遮光板的材料為金屬鈦的氧化物或金屬鋁的氧化物。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和所述漏極為雙層結構或多層結構，所述源極包括第一源極層和第二源極層；所述漏極包括第一漏極層和第二漏極層；其中，第一源極層和第一漏極層位于襯底基板上，第二源極層位于第一源極層上并覆蓋第一源極層，第二漏極層位于第一漏極層上并覆蓋第一漏極層。
4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二源極層和/或第二漏極層為鋸齒狀保護層。
5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一源極層的材料為鈦Ti或鋁Al金屬；所述第一漏極層的材料為鈦Ti或鋁Al金屬。
6.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二源極層的材料為鉬Mo或鉻Cr金屬；所述第二漏極層的材料為鉬Mo或鉻Cr金屬。
7.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權利要求1-6任一權項所述的薄膜晶體管。
8.一種顯示器，其特征在于，所述顯示器包括權利要求7所述的陣列基板。
9.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該方法包括：
制作源極、漏極和遮光板，其中，所述遮光板位于所述源極與所述漏極之間，并將源極與漏極阻斷；
制作半導體有源層，所述遮光板位于半導體有源層的入射光側，阻擋入射光對半導體有源層的照射；
在源極、漏極和半導體有源層上方制作柵極絕緣層和柵極。
10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作源極、漏極和遮光板的方法包括：
在襯底基板上沉積一層金屬層，將該金屬層的兩端分別制作成源極層與漏極層，對金屬層中間部分的區域進行氧化處理，制作得到遮光板。
11.根據權利要求10所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作源極、漏極和遮光板包括制作第二源極層和第二漏極層，具體包括：
采用灰階或半階曝光技術曝光使得第二源極層和第二漏極層上方覆蓋的光刻膠為鋸齒狀光刻膠，之后采用干法刻蝕或濕法刻蝕的方法制作第二源極層和第二漏極層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
