[發(fā)明專利]一種制備MgxZn1-xO 合金薄膜的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310272264.8 | 申請日: | 2013-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN103343316A | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙莉 | 申請(專利權(quán))人: | 彩虹集團(tuán)公司 |
| 主分類號: | C23C14/08 | 分類號: | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 汪人和 |
| 地址: | 712021*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 mg sub zn 合金 薄膜 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于材料制備領(lǐng)域,具體涉及一種制備MgxZn1-xO合金薄膜的方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體科學(xué)的發(fā)展對電子技術(shù)、信息技術(shù)等高技術(shù)的發(fā)展和人類社會的進(jìn)步起著重要的作用,隨著信息技術(shù)的發(fā)展,以光電子和微電子為基礎(chǔ)的通信和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)已成為高新技術(shù)的核心。目前,人們正致力于尋找更寬禁帶的半導(dǎo)體材料以制造波長更短的發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器。MgxZn1-xO是一種新型II-VI族寬禁帶三元化合物半導(dǎo)體材料,首次由Ohtomo等人在1998年報道制備成功,MgxZn1-xO可由ZnO和MgO合成制得,兼有ZnO和MgO材料的特性,而Mg的加入在調(diào)節(jié)ZnO帶隙的同時,不僅保留了紫外受激可產(chǎn)生強(qiáng)烈的激子發(fā)射的屬性,而且減少了ZnO中O空位缺陷,更重要的是可以通過各種工藝和調(diào)節(jié)組分配比,改變其中MgO的含量(0≤x≤1),使禁帶寬度可以在3.3eV到7.8eV的一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié),帶間躍遷的覆蓋波長可從380nm至160nm。MgxZn1-xO可以用作太陽能電池的透明電極和窗口材料,可以制作壓電轉(zhuǎn)換器、體聲波器件(BAW)和聲表面波器件(SAW)。MgxZn1-xO合金薄膜具有小的甚至負(fù)的電子親和勢,高的熱導(dǎo)率,抗氧化性,耐高溫性,大的擊穿場強(qiáng)和高的載流子遷移率,大的發(fā)射電流使得它又適宜作為場發(fā)射顯示器陰極材料,應(yīng)用十分廣泛。
ZnO室溫下的禁帶寬度約為3.37eV,它的激子結(jié)合能在無機(jī)半導(dǎo)體材料中最高,達(dá)60meV。而MgxZn1-xO與ZnO晶體結(jié)構(gòu)相同,晶格常數(shù)相近,禁帶寬度更大。這種材料可與ZnO一起組成異質(zhì)結(jié)、量子阱和超晶格,從而能極大地提高ZnO的發(fā)光效率,并對ZnO材料的發(fā)光特性進(jìn)行調(diào)制。目前研究的MgxZn1-xO合金薄膜大多通過調(diào)整Mg的含量來達(dá)到調(diào)控薄膜禁帶寬度的目的,但會出現(xiàn)隨Mg的含量增加而帶來的MgxZn1-xO合金薄膜相分離的現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制備MgxZn1-xO合金薄膜的方法,不僅能夠得到表面均勻光滑的MgxZn1-xO合金薄膜,而且可以通過調(diào)整氧化鋅緩沖層的厚度來調(diào)整MgxZn1-xO合金薄膜的禁帶寬度。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括以下步驟:
1)向經(jīng)過清洗和預(yù)處理的玻璃基底上濺射沉積并生長氧化鋅緩沖層,其中所用的濺射靶材為Zn靶,在Ar保護(hù)下進(jìn)行濺射沉積,并通入O2作為反應(yīng)氣體;
2)利用雙靶濺射儀在氧化鋅緩沖層上濺射沉積并生長MgxZn1-xO層,然后退火,得到MgxZn1-xO合金薄膜,其中0<x<1。
所述的步驟1)中玻璃基底的清洗和預(yù)處理為:將體積比為7:3濃硫酸和雙氧水混合后煮沸,作為清洗液清洗玻璃基底,然后用去離子水沖洗玻璃基底,再分別依次使用丙酮、酒精和去離子水對玻璃基底各超聲清洗15~30min。
所述的步驟1)中氧化鋅緩沖層的厚度為100~250nm。
所述的步驟1)中玻璃基底與Zn靶的靶面的垂直距離為30~40mm,濺射壓強(qiáng)為0.5~1Pa,射頻功率為100~300W,Ar與O2的體積流量比為1:1。
所述的步驟2)中MgxZn1-xO層的厚度為200~800nm。
所述的步驟2)中雙靶濺射儀的濺射功率為300W,濺射壓強(qiáng)為0.5~1Pa。
所述的步驟2)中的退火是在300~500℃的空氣下進(jìn)行的;退火時間為1~3小時。
相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的有益效果為:
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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