[發明專利]一種制備MgxZn1-xO 合金薄膜的方法無效
| 申請號： | 201310272264.8 | 申請日： | 2013-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN103343316A | 公開（公告）日： | 2013-10-09 |
| 發明（設計）人： | 趙莉 | 申請（專利權）人： | 彩虹集團公司 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 712021*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 mg sub zn 合金 薄膜 方法 | ||
1.一種制備MgxZn1-xO合金薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：
1）向經過清洗和預處理的玻璃基底上濺射沉積并生長氧化鋅緩沖層，其中所用的濺射靶材為Zn靶，在Ar保護下進行濺射沉積，并通入O2作為反應氣體；
2）利用雙靶濺射儀在氧化鋅緩沖層上濺射沉積并生長MgxZn1-xO層，然后退火，得到MgxZn1-xO合金薄膜，其中0<x<1。
2.根據權利要求1所述的制備MgxZn1-xO合金薄膜的方法，其特征在于：所述的步驟1）中玻璃基底的清洗和預處理為：將體積比為7:3濃硫酸和雙氧水混合后煮沸，作為清洗液清洗玻璃基底，然后用去離子水沖洗玻璃基底，再分別依次使用丙酮、酒精和去離子水對玻璃基底各超聲清洗15～30min。
3.根據權利要求1所述的制備MgxZn1-xO合金薄膜的方法，其特征在于：所述的步驟1）中氧化鋅緩沖層的厚度為100～250nm。
4.根據權利要求1或3所述的制備MgxZn1-xO合金薄膜的方法，其特征在于：所述的步驟1）中玻璃基底與Zn靶的靶面的垂直距離為30～40mm，濺射壓強為0.5～1Pa，射頻功率為100～300W，Ar與O2的體積流量比為1:1。
5.根據權利要求1所述的制備MgxZn1-xO合金薄膜的方法，其特征在于：所述的步驟2）中MgxZn1-xO層的厚度為200～800nm。
6.根據權利要求1或5所述的制備MgxZn1-xO合金薄膜的方法，其特征在于：所述的步驟2）中雙靶濺射儀的濺射功率為300W，濺射壓強為0.5～1Pa。
7.根據權利要求1或5所述的制備MgxZn1-xO合金薄膜的方法，其特征在于：所述的步驟2）中的退火是在300～500℃的空氣下進行的；退火時間為1～3小時。
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