[發(fā)明專利]覆有密封層的半導(dǎo)體元件、其制造方法及半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310272150.3
• 申請(qǐng)日: 2013-07-01
• 公開（公告）號(hào): CN103531697A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江部悠紀(jì);片山博之;木村龍一;大西秀典;福家一浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/54
• 分類號(hào): H01L33/54;H01L33/48
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及覆有密封層的半導(dǎo)體元件、其制造方法及半導(dǎo)體裝置，詳細(xì)地說(shuō)，涉及覆有密封層的半導(dǎo)體元件的制造方法、通過該制造方法而獲得的覆有密封層的半導(dǎo)體元件，以及具有該覆有密封層的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

以往，對(duì)于含有發(fā)光二極管裝置（以下，簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED裝置。）、電子裝置等的半導(dǎo)體裝置而言，公知有如下的制造方法：首先，在基板上安裝多個(gè)半導(dǎo)體元件（包括發(fā)光二極管元件（以下，簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED。）、電子元件等）；接著，設(shè)置密封層以覆蓋多個(gè)半導(dǎo)體元件；之后，使各半導(dǎo)體元件單片化。

尤其是，在半導(dǎo)體元件為L(zhǎng)ED，半導(dǎo)體裝置為L(zhǎng)ED裝置的情況下，在多個(gè)LED之間，發(fā)光波長(zhǎng)、發(fā)光效率會(huì)產(chǎn)生偏差，所以在這種安裝有LED的LED裝置中，存在有在多個(gè)LED之間發(fā)光產(chǎn)生偏差的問題。

為了克服上述問題，例如，研究出以下方法：以熒光體層來(lái)覆蓋多個(gè)LED從而制作覆有熒光體層的LED，之后，將覆有熒光體層的LED按照發(fā)光波長(zhǎng)、發(fā)光效率進(jìn)行分選，之后，安裝到基板上。

例如，提出有通過以下方法而得到的芯片部件，借助粘合片將芯片粘貼在石英基板之上，接著，自芯片之上涂布樹脂，從而制作由被樹脂覆蓋了的芯片構(gòu)成的偽晶圓（日文：疑似ウエーハ），之后，將偽晶圓從石英基板及粘合片剝離下來(lái)，之后，將偽晶圓按芯片單位來(lái)切割從而使之單片化（例如，參照日本特開2001－308116號(hào)公報(bào)。）。之后，將日本特開2001－308116號(hào)公報(bào)的芯片部件安裝到基板上，從而獲得半導(dǎo)體裝置。

另外，提出有通過以下方法而得到的LED，將LED配置在粘合片之上，接著，涂布已分散混入有熒光體的陶瓷油墨，通過加熱，使陶瓷油墨假固化，之后，與LED相對(duì)應(yīng)地切割陶瓷油墨，之后，使陶瓷油墨完全固化從而使之玻璃化（例如，參照日本特開2012－39013號(hào)公報(bào)。）。之后，將日本特開2012－39013號(hào)公報(bào)的LED安裝到基板上，從而獲得LED裝置。

但是，在日本特開2001－308116號(hào)公報(bào)所述的方法中，在切割偽晶圓時(shí)，偽晶圓已經(jīng)被從石英基板及粘合片剝離下來(lái)，所以這些石英基板及粘合片不再支承偽晶圓。因此，無(wú)法以優(yōu)異的精度切割偽晶圓，其結(jié)果，存在所獲得的芯片部件的尺寸穩(wěn)定性較低這樣的問題。

另一方面，在日本特開2012－39013號(hào)公報(bào)所述的方法中，在切割陶瓷油墨之后，使陶瓷油墨完全固化，所以，在切割之后，陶瓷油墨中會(huì)產(chǎn)生由完全固化而產(chǎn)生的收縮所引起的尺寸誤差，因此，存在所獲得的LED的尺寸穩(wěn)定性較低這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠以優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性來(lái)獲得覆有密封層的半導(dǎo)體元件的覆有密封層的半導(dǎo)體元件的制造方法，通過該制造方法而獲得的覆有密封層的半導(dǎo)體元件，以及具有該覆有密封層的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置。

本發(fā)明的覆有密封層的半導(dǎo)體元件的制造方法的特征在于，具有：準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備具有硬質(zhì)的支承板的支承片；半導(dǎo)體元件配置工序，將半導(dǎo)體元件配置在上述支承片的厚度方向一側(cè)；層配置工序，在上述半導(dǎo)體元件配置工序之后，將由含有固化性樹脂的密封樹脂組合物形成的密封層以覆蓋上述半導(dǎo)體元件的方式配置在上述支承片的上述厚度方向一側(cè)；密封工序，使上述密封層固化，從而利用撓性的上述密封層密封上述半導(dǎo)體元件；切斷工序，在上述密封工序之后，與上述半導(dǎo)體元件相對(duì)應(yīng)地切斷撓性的上述密封層，從而獲得具有上述半導(dǎo)體元件和覆蓋上述半導(dǎo)體元件的上述密封層的覆有密封層的半導(dǎo)體元件；以及半導(dǎo)體元件剝離工序，在上述切斷工序之后，將上述覆有密封層的半導(dǎo)體元件從上述支承片剝離下來(lái)。

另外，在本發(fā)明的覆有密封層的半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，上述密封層由密封片形成。

另外，在本發(fā)明的覆有密封層的半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，在上述層配置工序中，利用B階段的上述密封層來(lái)覆蓋上述半導(dǎo)體元件，在上述密封工序中，使上述密封層固化從而達(dá)到C階段，利用C階段的上述密封層來(lái)密封上述半導(dǎo)體元件。

另外，在本發(fā)明的覆有密封層的半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，上述支承片還具有層疊在上述支承板的上述厚度方向一側(cè)的表面的粘合層。

另外，在本發(fā)明的覆有密封層的半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，在上述半導(dǎo)體元件剝離工序中，將上述覆有密封層的半導(dǎo)體元件從上述支承板及上述粘合層剝離下來(lái)。