[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201310269322.1 | 申請日: | 2013-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN103346159A | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發明(設計)人: | 閻長江;林雨;蔣曉偉;龍君;謝振宇 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的飛速發展,TFT-LCD(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,薄膜晶體管液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置,因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點,而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
TFT-LCD顯示面板的制造工藝包括:制造陣列(Array)基板和彩膜(Color?Filter)基板,然后再將陣列基板和彩膜基板進行對位、成盒(Cell)。如圖1所示,典型的TFT陣列基板包括透明基板11以及依次位于透明基板表面上TFT的柵極120、柵極絕緣層13、有源層14、位于有源層14兩側的TFT的漏極121和TFT的源級122、位于有源層14、TFT漏極121和TFT源級122表面上的第一鈍化層15、位于第一鈍化層表面的面狀的第一透明電極16以及依次形成于第一透明電極16表面上的第二鈍化層17和狹縫結構的第二透明電極18。
為了將第一透明電極16與薄膜晶體管的漏極121導通,通常會在第一鈍化層15的表面設置有過孔,并且考慮到像素開口率的因素,可將該過孔設置為如圖1所示的半搭接過孔30。該半搭接過孔30表面的第一透明電極16的一部分搭接在TFT的漏極121的表面上,另一部分搭接在過孔30底部柵極絕緣層13的表面,采用這樣一種過孔可以增大像素開口率。然而,因為第一透明電極16透光,所以在半搭接過孔21處,當背光源發出的光線照射到TFT的漏極121未覆蓋的部分時,將產生漏光現象。此外,還由于制造誤差的原因會導致該過孔的口徑偏大于設計值,或者在陣列基板和彩膜基板進行對位成盒時,由于對位精度的限制,很容易出現偏移,造成過孔未完全覆蓋,從而發生漏光的現象,這種漏光現象嚴重制約了液晶面板的質量,并降低了液晶顯示器件的顯示效果。
發明內容
本發明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置,用以避免顯示面板的漏光現象,從而提高顯示面板的質量,提升顯示效果。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
本發明實施例的一方面,提供一種陣列基板,包括:透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶體管TFT,第一鈍化層覆蓋所述TFT,第一透明電極位于所述第一鈍化層的表面,所述第一透明電極通過過孔與所述TFT的漏極相連接,所述過孔處具有用于防止光線透射的光阻結構。
本發明實施例的另一方面,提供一種顯示裝置,包括如上所訴的陣列基板。
本發明實施例的又一方面,提供一種陣列基板的制造方法,包括:
在形成有薄膜晶體管TFT的基板表面形成第一鈍化層的圖案;
在形成有上述圖案的基板表面通過構圖工藝形成過孔的圖案,第一透明電極通過所述過孔與所述TFT的漏極相連接;
在所述過孔位置處形成用于防止光線透射的光阻結構。
本發明實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置,該陣列基板包括:透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶體管TFT,第一鈍化層覆蓋TFT,第一透明電極位于第一鈍化層的表面,該第一透明電極通過過孔與TFT的漏極相連接,該過孔處具有用于防止光線透射的光阻結構。這樣一來,通過該光阻結構可以避免顯示面板的漏光現象,從而提高顯示面板的質量,提升顯示效果。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現有技術中的陣列基板結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的一種陣列基板結構示意圖;
圖3為本發明實施例提供的另一種陣列基板結構示意圖;
圖4為本發明實施例提供的另一種陣列基板結構示意圖;
圖5為本發明實施例提供的又一種陣列基板結構示意圖。
圖6為本發明實施例提供的又一種陣列基板結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





