[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310269322.1
• 申請(qǐng)日: 2013-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN103346159A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閻長(zhǎng)江;林雨;蔣曉偉;龍君;謝振宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括：透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶體管TFT，第一鈍化層覆蓋所述TFT，第一透明電極位于所述第一鈍化層的表面，所述第一透明電極通過過孔與所述TFT的漏極相連接，其特征在于，所述過孔處具有用于防止光線透射的光阻結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光阻結(jié)構(gòu)包括連續(xù)的多個(gè)斜面或者曲面的微結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，位于所述過孔處的所述第一鈍化層具有所述微結(jié)構(gòu)，所述第一鈍化層的表面形成具有所述微結(jié)構(gòu)的所述第一透明電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，位于所述過孔處的所述TFT的漏極具有所述微結(jié)構(gòu)，所述TFT的漏極的表面形成具有所述微結(jié)構(gòu)的所述第一透明電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，位于所述過孔處的所述第一鈍化層與所述透明基板之間的柵極絕緣層具有所述微結(jié)構(gòu)，所述柵極絕緣層的表面形成具有所述微結(jié)構(gòu)的第一透明電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述光阻結(jié)構(gòu)包括遮光層：

所述遮光層位于所述第一透明電極與所述第二鈍化層之間。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一所述的陣列基板。

8.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有薄膜晶體管TFT的基板表面形成第一鈍化層的圖案；

在形成有上述圖案的基板表面通過構(gòu)圖工藝形成過孔的圖案，第一透明電極通過所述過孔與所述TFT的漏極相連接；

在所述過孔位置處形成用于防止光線透射的光阻結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述光阻結(jié)構(gòu)的制造方法包括：

在形成有所述過孔的基板上依次形成所述第一鈍化層和所述第一透明電極；

其中，所述過孔處通過構(gòu)圖工藝形成表面具有連續(xù)的多個(gè)斜面或者曲面的微結(jié)構(gòu)的光阻結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，位于所述過孔處的所述第一鈍化層具有所述微結(jié)構(gòu)，所述第一鈍化層的表面形成具有所述微結(jié)構(gòu)的所述第一透明電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，位于所述過孔處的所述TFT的漏極具有所述微結(jié)構(gòu)，所述TFT的漏極的表面形成具有所述微結(jié)構(gòu)的所述第一透明電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，位于所述過孔處的所述第一鈍化層與所述透明基板之間的柵極絕緣層具有所述微結(jié)構(gòu)，所述柵極絕緣層的表面形成具有所述微結(jié)構(gòu)的第一透明電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述光阻結(jié)構(gòu)包括：

在形成有所述第一透明電極的基板上形成所述遮光層。