[發(fā)明專利]一種基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微裝置及方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310268658.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103335993A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張斗國(guó);陳漪愷;韓璐;王向賢;王沛;明海 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/64 | 分類號(hào): | G01N21/64 |
| 代理公司: | 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 11251 | 代理人: | 成金玉;顧煒 |
| 地址: | 230026 安*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 波導(dǎo) 束縛 熒光 暗場(chǎng) 顯微 裝置 方法 | ||
1.一種基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微裝置,其特征在于包括:照明激光光源(1)、擴(kuò)束透鏡(2)、近端反射鏡(3)、載物芯片、顯微物鏡(7)、遠(yuǎn)端反射鏡(3)、濾光片(9)、收集透鏡(10)和CCD圖像傳感器(11);被觀測(cè)樣品置于載物芯片上方;所述載物芯片由玻璃基底層(4)、金屬薄膜層(5)、摻雜熒光分子的聚合物薄膜層(6)由下而上依次構(gòu)成,用于束縛被激發(fā)的熒光,直接實(shí)現(xiàn)暗場(chǎng)的功能;所述照明激光光源(1)發(fā)出的激光經(jīng)過(guò)擴(kuò)束透鏡(2)擴(kuò)束后經(jīng)近端反射鏡(3)照亮載物芯片,并且激發(fā)其聚合物薄膜層(6)中的摻雜熒光分子,熒光分子發(fā)出的熒光在上層空氣層與下層金屬薄膜層(5)之間形成導(dǎo)模,并束縛于聚合物薄膜層(6)與空氣界面處,當(dāng)樣品置于載物芯片上的時(shí)候,樣品底部靠近載物芯片的處被熒光照亮并散射;散射光直接被顯微物鏡(7)收集,經(jīng)過(guò)遠(yuǎn)端反射鏡(3)和濾光片(9)濾去照明激光后,被收集透鏡(10)收集成像于CCD圖像傳感器(11),實(shí)現(xiàn)暗場(chǎng)觀測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微裝置,其特征在于:所述金屬薄膜層(5)由一層銀構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微裝置,其特征在于:所述摻雜熒光染料的聚合物薄膜層(6)由含熒光分子的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微裝置,其特征在于:所述熒光分子為R6G。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微裝置,其特征在于:所述照明激光光源(1)的波長(zhǎng)為532納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微裝置,其特征在于:所述金屬薄膜層(5)的厚度范圍為0納米到50納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微裝置,其特征在于:所述PMMA層的厚度可以為50納米到450納米。
8.一種基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微方法,其特征在于包括以下步驟:
制樣:制備具有直接實(shí)現(xiàn)暗場(chǎng)功能的載物芯片,并且將樣品放于載物芯片上方;所述載物芯片的制備包括為:在玻璃基底(4)上蒸鍍一層金屬薄膜層(5),再旋涂含熒光分子的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)構(gòu)成聚合物薄膜層(6),烘干后在上方放置樣品,制成載物芯片;
照明:調(diào)節(jié)照明激光光源(1),照明激光光源(1)發(fā)出的激光經(jīng)過(guò)擴(kuò)束透鏡(2)擴(kuò)束后經(jīng)近端反射鏡(3)照亮載物芯片,并且激發(fā)其聚合物薄膜層(6)中的摻雜熒光分子,熒光分子發(fā)出的熒光在上層空氣層與下層金屬薄膜層(5)之間形成導(dǎo)模,并束縛于聚合物薄膜層(6)與空氣界面處,當(dāng)樣品置于載物芯片的上時(shí)候,樣品底部靠近載物芯片的處被熒光照亮并散射;
觀測(cè):通過(guò)顯微物鏡(7)收集散射光,散射光經(jīng)過(guò)遠(yuǎn)端反射鏡(3)和濾光片(9)濾去照明激光后,被收集透鏡(10)收集成像于CCD圖像傳感器(11),實(shí)現(xiàn)暗場(chǎng)觀測(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于波導(dǎo)束縛的熒光暗場(chǎng)顯微方法,其特征在于:通過(guò)改變所述聚合物薄膜層(6)的厚度時(shí),能夠激發(fā)不同的導(dǎo)模,束縛能力也不同,實(shí)現(xiàn)暗場(chǎng)中樣品的近場(chǎng)照明區(qū)域的調(diào)節(jié)。
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