[發明專利]一種半導體熔爐加熱器固定裝置在審
| 申請號： | 201310266340.4 | 申請日： | 2013-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN104253064A | 公開（公告）日： | 2014-12-31 |
| 發明（設計）人： | 潘琦;李占斌;王強 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H05B1/00 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址： | 上海市浦東新區張*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 熔爐 加熱器 固定 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體熔爐加熱器固定裝置，其設置在熔爐（1）內部，所述的熔爐（1）內壁沿軸向間隔安裝有若干圈加熱線路（2），其特征在于，該裝置包含：若干支支撐桿（3），其分別固定設置在所述加熱線路（2）上；
所述的支撐桿（3）包含若干依次相連的第一支撐體（31）及若干依次相連的第二支撐體（32），每個所述的第一支撐體（31）分別對應拼接在第二支撐體（32）上。
2.如權利要求1所述的半導體熔爐加熱器固定裝置，其特征在于，所述的支撐桿（3）數量至少為16支。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
