[發明專利]非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法

在審

• 申請號: 201310265444.3
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN104253041A
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發明（設計）人: 周東飛;鐘圣榮;鄧小社;王根毅
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，包括如下步驟：

在硅片正面形成絕緣柵雙極晶體管結構至積淀完層間介質；

在所述層間介質上依次形成氮化硅層和氧化層作為保護膜；

自所述硅片背面開始將所述硅片進行減薄處理，并在減薄后的硅片背面形成P型層；

去掉所述保護膜，并對所述硅片進行退火處理；其中退火溫度大于500攝氏度；

在所述P型層和層間介質表面形成金屬層。

2.根據權利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述在層間介質上依次形成氮化硅層和氧化層作為保護膜的步驟包括：

將硅片進行氮化硅生長；

將硅片進行氧化層生長；

去除所述硅片背面的氧化層；

去除所述硅片背面的氮化硅層；

去除所述硅片背面的多晶硅層；所述層間介質上形成的保護膜包括形成于所述層間介質表面的氮化硅層和氧化層。

3.根據權利要求2所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述去除硅片背面的氧化層的步驟包括：

在所述硅片正面的氧化層上涂覆光刻膠；

采用濕法腐蝕去除所述硅片背面的氧化層。

4.根據權利要求3所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述去除硅片背面的氮化硅層的步驟包括：

去除所述硅片正面的氧化層上涂覆的光刻膠；

采用氮化硅剝離藥液去除所述硅片背面的氮化硅層。

5.根據權利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述P型層采用離子注入方式形成，注入離子為硼。

6.根據權利要求5所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述離子注入采用正面注入機臺處理。

7.根據權利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述去除保護膜的步驟包括：

采用濕法腐蝕BOE刻蝕掉所述硅片正面的氧化層；

采用氮化硅剝離藥液去除所述硅片正面的氮化硅層。

8.根據權利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述退火溫度大于800攝氏度。

9.根據權利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述減薄處理將硅片減薄至300～500微米。

10.根據權利要求1所述的非穿通型絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，所述減薄處理采用化學機械研磨。