[發明專利]干冰控制消解反應熱檢測多晶硅雜質的預處理方法無效
| 申請號： | 201310264208.X | 申請日： | 2013-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN103335882A | 公開（公告）日： | 2013-10-02 |
| 發明（設計）人： | 劉鑫業;劉瑤;譚毅 | 申請（專利權）人： | 青島隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/44 | 分類號： | G01N1/44 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 266234 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 干冰 控制 消解 反應熱 檢測 多晶 雜質 預處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種干冰控制消解反應熱檢測多晶硅雜質的預處理方法，將多晶硅樣品加入燒杯中，依次加入甘露醇、氫氟酸和硝酸，反應至多晶硅樣品完全消解，然后低溫揮硅、酸度調節后定容，最后檢測多晶硅中的雜質含量，其特征在于在加入甘露醇和氫氟酸之間，加入干冰處理。
2.根據權利要求1所述的干冰控制消解反應熱檢測多晶硅雜質的預處理方法，其特征在于干冰的純度為99.995%以上。
3.根據權利要求1所述的干冰控制消解反應熱檢測多晶硅雜質的預處理方法，其特征在于采用ICP-AES或ICP-MS檢測多晶硅中的雜質含量。
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