[發明專利]TEM樣品的制備方法無效
| 申請號： | 201310262908.5 | 申請日： | 2013-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN103308365A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發明（設計）人： | 陳強;孫蓓瑤 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tem 樣品 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述TEM樣品的制備方法包括：
執行步驟S1：根據測試之需，設定制樣方案；
執行步驟S2：根據所述制樣方案將所述樣品減薄；
執行步驟S3：對所述減薄后的樣品之底部進行U形切；
執行步驟S4：將所述經過U形切的樣品旋轉90°；
執行步驟S5：在所述樣品表面沉積作為保護層的電子束鉑和離子束鉑；
執行步驟S6：切至目標處進行觀測分析；
執行步驟S7：根據所述觀測分析結果優化所述制樣方案；
執行步驟S8：重復實施步驟S2～S7，直至所制樣品符合要求。
2.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述制樣方案中選定TEM樣品區域。
3.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，對所述樣品減薄即在所述TEM樣品區域之兩側形成凹陷，將所述樣品減薄至預設厚度。
4.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述TEM樣品為多晶結構（Poly）。
5.如權利要求4所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述觀測分析為U形切損傷程度、前后停刀位置、柵氧結構、硅基結構、多晶結構、電子束鉑、離子束鉑，以及待修正樣品厚度和均勻性表征的其中之一或者其組合。
6.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述TEM樣品的厚度為90～100nm。
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