[發(fā)明專利]一種GaN基LED外延片的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310262473.4
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN104253179A
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設計）人: 陳振
• 申請（專利權）人: 晶能光電(江西)有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種GaN基LED外延片的制備方法，包括：

在藍寶石平面襯底上生長一層u-GaN層材料；

在所述u-GaN層材料上依次生長InGaAlN多層結(jié)構，其中所述InGaAlN多層結(jié)構包括n型GaN層，p型GaN層以及位于n型層和p型層之間的多量子阱發(fā)光層；

其特征在于采用濕法粗化法對所述u-GaN層或n型GaN層進行粗化。

2.根據(jù)權利要求1所述的GaN基LED外延片的制備方法，其特征在于采用化學腐蝕法進行粗化。

3.根據(jù)權利要求2所述的GaN基LED外延片的制備方法，其特征在于化學腐蝕液包括但不限于下列酸性溶液的至少一種：H₂SO₄、HF、HCL、H₃PO₄、HNO₃。

4.根據(jù)權利要求2所述的GaN基LED外延片的制備方法，其特征在于化學腐蝕液包括但不限于下列堿性溶液的至少一種：KOH、NaOH、NH₄OH。

5.根據(jù)權利要求1所述的GaN基LED外延片的制備方法，其特征在于采用光電化學氧化和蝕刻法進行粗化。

6.?根據(jù)權利要求5所述的GaN基LED外延片的制備方法，其特征在于光電化學氧化和蝕刻處理在具有水溶液系統(tǒng)，照明系統(tǒng)以及電偏置系統(tǒng)中執(zhí)行，水溶液為氧化劑與酸溶液的組合，照明系統(tǒng)為紫外燈系統(tǒng)。

7.根據(jù)權利要求6所述的GaN基LED外延片的制備方法，其特征在于氧化劑包括但不限于下列溶液的至少一種：H₂O₂、K₂S₂O₈。

8.根據(jù)權利要求6所述的GaN基LED外延片的制備方法，其特征在于酸溶液包括但不限于下列溶液的至少一種：H₂SO₄、HF、HCL、H₃PO₄、HNO₃、CH₃COOH。

9.一種使用GaN基LED外延片的制備方法制備的GaN基LED外延片，其結(jié)構自下而上依次為藍寶石襯底、低溫GaN緩沖層、u-GaN層、n型氮化鎵層、多量子阱層、p型摻雜GaN層、p型氮化鎵層、高摻雜的p-型GaN電極接觸層，其特征在于所述u-GaN層或n型氮化鎵層經(jīng)過濕法粗化處理，粗化后表面形成一層多孔洞結(jié)構。