[發明專利]芯片封裝、芯片布置、電路板以及用于制造芯片封裝的方法

在審

• 申請號: 201310261907.9
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN103515336A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: M.鮑爾;A.海默爾;A.克斯勒;W.肖貝爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;王忠忠

1.?一種芯片封裝，包括：

芯片載體；

芯片，設置在芯片載體頂側上并被電連接到芯片載體頂側；

電絕緣材料，設置在芯片上并至少部分地圍繞該芯片；

一個或多個導電接觸區，在電絕緣材料中形成并與芯片電連接；

另一電絕緣材料，設置在芯片載體底側上；

其中，芯片載體底側上的導電接觸區從所述另一電絕緣材料釋放。

2.?根據權利要求1所述的芯片封裝，

其中，所述芯片載體包括引線框架載體。

3.?根據權利要求1所述的芯片封裝，

其中，所述芯片載體包括導電材料，該導電材料包括來自下組材料的至少一個，該組材料由以下各項組成：銅、鎳、鐵、銀、金、鈀、磷、銅合金、鎳合金、鐵合金、銀合金、金合金、鈀合金、磷的合金。

4.?根據權利要求1所述的芯片封裝，

其中，所述芯片被配置成載送從約5V至約1200V范圍內的電壓。

5.?根據權利要求4所述的芯片封裝，

其中，所述芯片包括來自下組器件的至少一個器件，該組由以下各項組成：晶體管、功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場效應晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、閘流晶體管、MOS控制閘流晶體管、硅控整流器、功率肖特基二極管、氮化硅二極管、氮化鎵器件、多芯片器件。

6.?根據權利要求1所述的芯片封裝，

其中，所述芯片經由在芯片底側上形成的至少一個接觸焊盤被電連接到芯片載體。

7.?根據權利要求1所述的芯片封裝，

其中，所述芯片經由導電介質被電連接到芯片載體，該導電介質包括來自下組材料的至少一個，該組由以下各項組成：焊料、軟焊料、擴散焊料、導電膏、納米膏、粘合劑、導電粘合劑。

8.?根據權利要求1所述的芯片封裝，

其中，所述電絕緣材料包括來自下組材料的至少一個，該組由以下各項組成：填充或未填充環氧樹脂、預先浸漬復合材料纖維、加強纖維、層壓件、模具材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強層壓件、纖維加強聚合物層壓件、具有填料顆粒的纖維加強聚合物層壓件。

9.?根據權利要求1所述的芯片封裝，還包括

通過電絕緣材料形成的一個或多個電互連；

其中，所述一個或多個電互連被配置成將在芯片頂側上形成的一個或多個接觸焊盤電連接到所述一個或多個導電接觸區。

10.?根據權利要求1所述的芯片封裝，還包括

一個或多個接合結構，被電連接到所述一個或多個導電接觸區。

11.?根據權利要求10所述的芯片封裝，

其中，所述一個或多個接合結構包括來自下組材料的至少一個，該組由以下各項組成：焊料、軟焊料、擴散焊料、導電膏、納米膏。

12.?根據權利要求10所述的芯片封裝，

其中，所述一個或多個接合結構包括來自下組結構的至少一個，該組由以下各項組成：焊珠、焊料凸塊、柱、銅柱。

13.?根據權利要求1所述的芯片封裝，還包括

另一接合結構，在芯片載體底側上的限定導電接觸區上形成；

其中，芯片載體的限定導電接觸區未被所述另一電絕緣材料覆蓋。

14.?根據權利要求1所述的芯片封裝，還包括

另一接合結構，在芯片載體底側上的限定導電接觸區上形成；

其中，所述另一接合結構被電連接到在芯片底側上形成的至少一個接觸焊盤。

15.?根據權利要求14所述的芯片封裝，

其中，所述另一接合結構包括來自下組材料的至少一個，該組由以下各項組成：焊料、軟焊料、擴散焊料、導電膏、納米膏。

16.?根據權利要求14所述的芯片封裝，

其中，所述另一接合結構包括來自下組結構的至少一個，該組由以下各項組成：焊珠、焊料凸塊、柱、銅柱。