[發明專利]半導體裝置和結構

有效

• 申請號: 201310260365.3
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103515378B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 克日什托夫·多曼斯基
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,吳孟秋

1.一種裝置，包括：

襯底：

布置在所述襯底中的半導體裝置：

接觸元件，至少部分地圍繞所述半導體裝置以電接觸所述襯底，所述接觸元件經由電阻元件耦接至供給電壓。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述電阻元件具有至少100Ω的阻抗。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述半導體裝置設置在第一極性的阱中；以及

其中，所述襯底具有與所述第一極性不同的第二極性。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述第一極性是n型極性，所述第二極性是p型極性，并且其中，所述供給電壓是VSS。

5.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述第一極性的另外的阱設置為至少部分地圍繞所述接觸元件，其中，所述第一極性的另外的阱與另外的供給電壓耦接。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，在所述襯底與所述供給電壓之間的具有預定阻抗以下的阻抗的所有連接被設置為距所述半導體裝置至少預定最小距離。

7.根據權利要求5所述的裝置，其中，所述預定最小距離至少是20μm。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中，高電阻率區圍繞所述半導體裝置設置。

9.根據權利要求8所述的裝置，其中，所述高電阻率區包括BF槽溝。

10.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述半導體裝置包括PMOS晶體管。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述PMOS晶體管耦接在VDDP與VDD之間。

12.一種半導體結構，包括：

第一極性的第一阱，設置在與所述第一極性不同的第二極性的襯底中；

阱接觸，設置在所述第一極性的阱內以與第一供給電壓耦接；

在所述阱中的半導體裝置；

所述第二極性的第二阱，具有比圍繞所述第一極性的阱布置的所述襯底高的摻雜濃度，所述第二極性的阱耦接至電阻元件，所述電阻元件與第二供給電壓耦接。

13.根據權利要求12所述的半導體結構，其中，所述電阻元件至少包括電阻器或晶體管中的一個。

14.根據權利要求12所述的半導體結構，其中，所述半導體裝置包括：

布置在所述第一極性的第一阱中的所述第二極性的第三阱與布置在所述第一極性的第一阱中的所述第二極性的第四阱；以及

在所述第三阱與所述第四阱之間的所述襯底上的柵電極。

15.根據權利要求12所述的半導體結構，包括

所述第二極性的第五阱，具有高于所述襯底的摻雜濃度并且布置在所述襯底中；

在所述第二極性的第五阱與所述第二極性的第二阱之間的距離至少是預定距離，所述第二極性的第五阱經由具有比所述電阻元件的阻抗小的阻抗的連接與所述第二供給電壓耦接。

16.根據權利要求15所述的半導體結構，還包括

所述第一極性的第六阱，設置在所述第二極性的第一阱與所述第二極性的第五阱之間，所述第一極性的第六阱與第三供給電壓耦接。

17.一種裝置，包括：

偏置電路，經由電阻元件將供給電壓施加到圍繞半導體裝置的襯底。

18.根據權利要求17所述的裝置，其中，所述電阻元件具有比金屬連接的電阻率大的阻抗。

19.根據權利要求18所述的裝置，其中，所述半導體裝置設置在具有與襯底的阱不同極性的阱中。

20.一種方法，包括：

在襯底上設置半導體裝置，

設置至少部分圍繞半導體裝置的襯底接觸，以及

經由電阻元件將所述襯底接觸與供給電壓耦接。

21.根據權利要求20所述的方法，其中，設置所述半導體裝置包括：

在具有與所述襯底的極性不同極性的阱中設置所述半導體裝置。

22.根據權利要求20所述的方法，還包括：

圍繞所述半導體裝置設置高電阻率區。

23.根據權利要求20所述的方法，還包括：

設置至少部分圍繞所述襯底接觸的具有與所述襯底的極性不同極性的阱，以及

將所述阱與不同于所述供給電壓的另外的供給電壓連接。