[發明專利]一種功率半導體芯片柵極區

有效

• 申請號: 201310259611.3
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103337515A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 劉國友;覃榮震;黃建偉;羅海輝
• 申請（專利權）人: 株洲南車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種功率半導體芯片柵極區，其特征在于，包括位于芯片元胞區內的主柵極區、包圍所述主柵極區的第一柵極條，位于所述主柵極區和所述第一柵極條之間的柵電阻區，其中，所述柵電阻區內設置有至少兩個子電阻，每個所述子電阻的一端與所述主柵極區連接，所述子電阻的另一端與所述第一柵極條連接。

2.根據權利要求1所述的柵極區，其特征在于，還包括至少一條位于所述第一柵極條外圍的第二柵極條，所述第二柵極條包括第一端和第二端，所述第一端與所述第一柵極條連接，所述第二端在所述芯片元胞區內自由延伸。

3.根據權利要求2所述的柵極區，其特征在于，所述第二柵極條為2條以上，所述第二柵極條在所述柵電阻區內關于所述柵極區的中心呈中心對稱分布，或者，每相鄰兩個所述第二柵極條之間的夾角相等。

4.根據權利要求1-3任一項所述的柵極區，其特征在于，所述柵極區還包括位于所述芯片元胞區最外圍且包圍所述芯片元胞區的邊緣柵極條，至少一條所述第二柵極條的第二端與所述邊緣柵極條相接。

5.根據權利要求1-3任一項所述的柵極區，其特征在于，所述主柵極區的形狀為圓形、長方形或正多邊形。

6.根據權利要求5所述的柵極區，其特征在于，所述主柵極區的面積為0.5mm²～2mm²。

7.根據權利要求1-3任一項所述的柵極區，其特征在于，所述第一柵極條的形狀與所述主柵極區的形狀相似。

8.根據權利要求1所述的柵極區，其特征在于，所述第一柵極條的寬度范圍在10～150μm之間。

9.根據權利要求1所述的柵極區，其特征在于，所述柵電阻區的區域寬度范圍在200～1000μm之間。