[發明專利]一種透明導電薄膜

無效

• 申請號: 201310258342.9
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103280256A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 杜成城;劉比爾
• 申請（專利權）人: 汕頭萬順包裝材料股份有限公司光電薄膜分公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;G06F3/041
• 代理公司: 汕頭新星專利事務所 44219
• 代理人: 林希南

技術領域

本發明涉及設備或日用產品的觸控技術器件的制造材料，具體是一種透明導電薄膜。

背景技術

透明導電薄膜，目前已經廣泛應用于平板顯示、屏式觸控技術、太陽能電池板、太陽能控制膜、防止起霧除去霜玻璃、冰玻璃、防靜電涂層等諸多領域。

透明導電薄膜的基本結構是由其一面或兩面附著或不附著有加硬層的薄膜基材，在薄膜基材的一面附著有透明導電層構成。其中薄膜基材通常可以采用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜（PET薄膜）；透明導電層通常可以采用氧化銦錫（ITO）為材料。附著加硬層、透明導電層等功能層可以采用磁控濺射、脈沖激光沉積、真空蒸鍍、化學氣相沉積、溶膠凝膠法等技術手段來實現。

因為氧化銦錫與薄膜基材之間的密著性不是很理想，并且為了降低片電阻值而往往會增加氧化銦錫層的厚度，因此會出現透明導電薄膜透光率降低的問題，解決此問題的方法通常是在薄膜基材和透明導電層之間增加一層或兩層光學層，來提高其透光率。光學層通常可以采用二氧化硅（SiO₂）為材料。

為了使得透明導電薄膜具有優良的耐候性和環境適應性，有研究提出在透明導電層與薄膜基材之間增加一個密著層，通過選擇與有機材料和無機材料都有著良好附著性能的特殊材料，提高光學層及薄膜基材之間的密著性，從而改善透明導電薄膜的耐候性和環境適應性。密著層可以采用氧化硅（SiO_X）、氮化硅(SiN_X)、氮氧化硅(SiO_XN_Y）、氧化鈦(TiO_X）或氮化鈦（TiN_X）為材料。

雖然上述密著層改善了透明導電薄膜的耐候性和環境適應性，包括了耐高溫高濕性能的改善，但是對于某些特殊的高溫高濕環境，如放入沸水中測試，透明導電薄膜上附著的功能層的密著性變差，且電阻值變化率增大，從而會導致透明導電薄膜的觸控靈敏性變差，甚至造成觸控無法操作。

發明內容

為了克服現有透明導電薄膜存在對于某些特殊的高溫高濕環境，如放入沸水中，透明導電薄膜功能層的密著性變差，且電阻值變化率增大，使透明導電薄膜的觸控靈敏性變差，甚至造成觸控無法操作的缺陷，本申請人為此經過無數次的實驗和測試，現通過本發明提供出一種改進的透明導電薄膜，可以克服現有技術的缺陷。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種透明導電薄膜，由薄膜基材和附著在薄膜基材一面的透明導電層構成，其特征是：所述薄膜基材與透明導電層之間附著有一個純Si（硅）材料的密著層。

上述技術方案所述的薄膜基材可以采用PET薄膜（聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜）、PEN薄膜（聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜）、PI薄膜（聚酰亞胺薄膜）、PC薄膜（聚碳酸酯薄膜）、PO薄膜（聚烯烴薄膜）、TAC薄膜（三醋酸纖維素薄膜）、COC薄膜（環烯烴共聚物薄膜）、COP薄膜（環烯烴聚合物薄膜）中的一種。

上述技術方案所述的純Si（硅），可以采用單晶硅或多晶硅。

上述技術方案所述的純Si（硅）材料的密著層厚度可以掌握在0.1nm～7nm；更佳的厚度可以掌握在0.3nm～5nm。

上述技術方案所述的透明導電層材料可以采用ITO（氧化銦錫）、IGZO（氧化銦鎵鋅）、ITiO（氧化銦鈦）、AZO（氧化鋁鋅）、ZnO（氧化鋅）中的一種。

上述技術方案所述薄膜基材的一面或兩面上，在未附著有其它功能層之前，可以附著有加硬層。

上述技術方案所述的密著層與透明導電層之間，可以附著有光學層。光學層可以是一層以上。光學層材料可以采用SiO₂（二氧化硅）。

上述技術方案所述的光學層為單層光學層時，光學層的折射率可以掌握在1.4～1.55。

上述技術方案所述的加硬層材料可以采用MF(密胺樹脂)、CARBAMATE?(胺基甲酸酯樹脂)、ALKYD?RESIN(醇酸樹脂)、APP（丙烯酸系樹脂）、POLYSILOXANE（聚硅氧烷樹脂）中的一種。

上述技術方案所述的附著其中任何一個功能層均可以采用磁控濺射、脈沖激光沉積、真空蒸鍍、化學氣相沉積、溶膠凝膠法等技術手段來實現。

上述技術方案所述的加硬層、光學層和透明導電層的成型上的其他工藝和參數，可以參照已有技術進行適用性選擇和采用。