[發明專利]一種透明導電薄膜

無效

• 申請號: 201310258342.9
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103280256A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 杜成城;劉比爾
• 申請（專利權）人: 汕頭萬順包裝材料股份有限公司光電薄膜分公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;G06F3/041
• 代理公司: 汕頭新星專利事務所 44219
• 代理人: 林希南

1.一種透明導電薄膜，由薄膜基材和附著在薄膜基材一面的透明導電層構成，其特征是：所述薄膜基材與透明導電層之間附著有一個純Si材料的密著層。

2.按權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征是所述密著層與透明導電層之間附著有一層以上的光學層。

3.按權利要求1或2所述的透明導電薄膜，其特征是所述純Si（硅）材料的密著層厚度掌握在0.1nm～7nm。

4.按權利要求3所述的透明導電薄膜，其特征是所述純Si（硅）材料的密著層厚度掌握在0.3nm～5nm。

5.按權利要求1或2所述的透明導電薄膜，其特征是所述薄膜基材的一面或兩面上，在未附著有其它功能層之前，先附著有加硬層。

6.按權利要求2所述的透明導電薄膜，其特征是所述光學層為單層光學層時，光學層的折射率掌握在1.4～1.55。

7.按權利要求1或2所述的透明導電薄膜，其特征是所述薄膜基材采用PET薄膜、PEN薄膜、PI薄膜、PC薄膜、PO薄膜、TAC薄膜、COC薄膜、COP薄膜中的一種。

8.按權利要求1或2所述的透明導電薄膜，其特征是所述透明導電層材料采用ITO、IGZO、ITiO、AZO、ZnO中的一種。

9.按權利要求5所述的透明導電薄膜，其特征是所述加硬層材料采用MF、CARBAMATE、ALKYD?RESIN、APP、POLYSILOXANE中的一種。