[發(fā)明專利]版圖數據的處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310258304.3
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103309150A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設計）人: 張辰明;張旭升;魏芳
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種版圖數據的處理方法。

背景技術

隨著集成電路設計和制造進入超深亞微米階段，器件的特征尺寸已經接近甚至小于光刻工藝中所使用的光波波長。因此，光刻過程中由于光的衍射和干涉現象使得實際硅片上得到的光刻圖形與掩膜版圖形之間存在一定的變形和偏差。光刻中的這種誤差直接影響電路性能和生產成品率。為盡量消除這種誤差，一種有效的方法是OPC（Optical?Proximity?Correction，光學臨近修正或光學鄰近效應修正）。

具體地說，在光刻工藝中，孔層次的成像，是通過光源照射到掩模板上的正方形圖形后，在硅片上形成圓形的孔的圖像。現有的光刻工藝中，版圖數據中原有的符合設計規(guī)則的孔間距，經過OPC修正，會發(fā)生孔間距尺寸過小，超出掩模板制造工藝能力的情況，導致掩模板尺寸同版圖有差異，影響光刻實際尺寸。

更具體地說，如圖1所示，晶圓上實際的孔圖形1在初始版圖數據中的原始圖形2是與孔圖形1相切的正方形，在經過OPC修正之后，OPC修正后的版圖數據中與孔圖形1相對應的修正圖形3變成將原始圖形2納入其中的更大的正方形。OPC修正后的圖形間距尺寸a顯然相對于原始圖形2之間的距離變大，從而有可能出現超出掩模板制造工藝能力的情況，導致掩模板尺寸同版圖有差異，影響光刻實際尺寸。

目前的解決方案有：第一種方法、提高掩模板制作規(guī)格，這樣就能夠提高掩模板制造工藝能力，解決孔間距尺寸過小的狀況，缺點是會增加掩模板的制造費用；第二種方法、在進行OPC修正時，保持最小的掩模板間距尺寸，使之不會違反掩模板制造工藝的最小精度，缺點是這樣OPC修正不到位，實際光刻尺寸無法做到目標值。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠在無需提高掩模板制作規(guī)格的情況下實現完整的OPC修正的版圖數據處理方法。

為了實現上述技術目的，根據本發(fā)明，提供了一種版圖數據的處理方法，包括：

第一步驟：產生包括正方形圖形的初始版圖數據；

第二步驟：對初始版圖數據進行OPC修正；

第三步驟：對經過OPC修正的版圖數據進行掩模板最小規(guī)則檢查，以查找出違反掩模板最小規(guī)則的正方形圖形；

第四步驟：對經過OPC修正的版圖數據進行修改，使得違反掩模板最小規(guī)則的正方形圖形中的至少一部分正方形圖形旋轉特定角度，以形成旋轉后正方形圖形，其中正方形圖形的旋轉以正方形圖形的中心作為旋轉中心。

優(yōu)選地，在執(zhí)行完第四步驟之后再次執(zhí)行第三步驟，并且在第三步驟中查找出違反掩模板最小規(guī)則的正方形圖形的情況下再次執(zhí)行第四步驟，直到在第三步驟中沒有查找出違反掩模板最小規(guī)則的正方形圖形。

優(yōu)選地，在第四步驟中，正方形圖形旋轉的所述特定角度介于30°至60°之間。優(yōu)選地，在第四步驟中，正方形圖形旋轉的所述特定角度介于40°至50°之間。進一步優(yōu)選地，在第四步驟中，正方形圖形旋轉的所述特定角度為45°。

相對于現有技術的兩種解決方法主要依靠增加成本或者降低OPC修正準確度來處理背景技術中提及的圖形違反掩模板最小規(guī)則的技術問題。本發(fā)明利用版圖數據處理解決了現有技術中存在的圖形違反掩模板最小規(guī)則的技術問題，在不增加成本或者降低OPC修正準確度的情況下，對于同樣的版圖，能夠增加掩模板上的諸如OPC修正后的孔圖形之類的正方形圖形的間距尺寸，使原來違反掩模板最小制造精度的版圖變?yōu)榉稀?/p>

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據現有技術的經過OPC修正后的違反掩模版制造能力的最小間距尺寸的情況。

圖2示意性地示出了根據本發(fā)明實施例的版圖數據的處理方法的流程圖。

圖3示意性地示出了根據本發(fā)明實施例的版圖數據的處理方法的第一示意圖。

圖4示意性地示出了根據本發(fā)明實施例的版圖數據的處理方法的第二示意圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內容進行詳細描述。

圖2示意性地示出了根據本發(fā)明實施例的版圖數據的處理方法的流程圖。