[發明專利]測算接觸孔與多晶硅柵極對準偏差值的方法有效
| 申請號： | 201310256206.6 | 申請日： | 2013-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN103354211A | 公開（公告）日： | 2013-10-16 |
| 發明（設計）人： | 范榮偉;顧曉芳;龍吟;倪棋梁;陳宏璘 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01B15/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測算 接觸 多晶 柵極 對準 偏差 方法 | ||
1.一種測算接觸孔與多晶硅柵極對準偏差值的方法，其特征在于，包括：
步驟S01：在半導體襯底上建立測試模塊矩陣；
步驟S02：對所述測試模塊矩陣中的各個測試模塊區域進行離子注入，使所述各個測試模塊的結構均形成PMOS/N型阱區結構；
步驟S03：經光刻和刻蝕工藝，在所述各個測試模塊上形成接觸孔；
步驟S04：平坦化所述接觸孔后，采用電子束缺陷掃描儀在負負載條件下對所述接觸孔進行缺陷檢測，得到漏電影像特征圖；
步驟S05：根據漏電影像特征圖測算所述柵極間的接觸孔與所述多晶硅柵極的對準偏差值。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的測試模塊包括有P型有源區，N型阱區，和所述多晶硅柵極。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，建立所述的測試模塊矩陣的方法，包括：
在所述半導體器件襯底上選取測試區域；
選取要測試的所述接觸孔與所述多晶硅柵極的關鍵尺寸，以形成關鍵尺寸矩陣；
將所述的關鍵尺寸矩陣中的每組數據作為一個測試模塊區域的數據，根據所述每組數據建立測試模塊區域，將所述測試模塊區域排布在所述測試區域內，從而得到所述的測試模塊矩陣。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述測試模塊的排布為：所述P型有源區呈縱向排布，所述多晶硅柵極呈橫向排布。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述關鍵尺寸矩陣中，所述關鍵尺寸按照從小到大的順序排布。
6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述測試模塊矩陣中每行至少有3個所述測試模塊，所述測試模塊等距排布。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述PMOS/N型阱區結構的形成方法，包括：
步驟S11：對所述半導體襯底進行P型阱區的離子注入，采用光阻遮擋住所述測試模塊矩陣；
步驟S12：對所述半導體襯底進行N型阱區離子注入，將所述光阻去除，所述半導體器件襯底形成N型阱區；
步驟S13：對所述半導體襯底進行N型有源區離子注入，采用光阻遮擋住所述測試模塊矩陣；
步驟S14：對所述半導體襯底進行P型有源區離子注入，將所述光阻去除，從而形成所述PMOS/N型阱區結構的測試模塊矩陣。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的接觸孔包括柵極間接觸孔、有源區接觸孔和柵源共享接觸孔。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子束缺陷掃描儀采用的著陸電壓為2300eV-2800eV，電流為80-125nA。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子束缺陷掃描儀采用的像素為30-100nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
