[發(fā)明專利]測算接觸孔與多晶硅柵極對準偏差值的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310256206.6
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN103354211A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發(fā)明（設計）人: 范榮偉;顧曉芳;龍吟;倪棋梁;陳宏璘
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01B15/00
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種測算接觸孔與多晶硅柵極對準偏差值的方法，其特征在于，包括：

步驟S01：在半導體襯底上建立測試模塊矩陣；

步驟S02：對所述測試模塊矩陣中的各個測試模塊區(qū)域進行離子注入，使所述各個測試模塊的結構均形成PMOS/N型阱區(qū)結構；

步驟S03：經(jīng)光刻和刻蝕工藝，在所述各個測試模塊上形成接觸孔；

步驟S04：平坦化所述接觸孔后，采用電子束缺陷掃描儀在負負載條件下對所述接觸孔進行缺陷檢測，得到漏電影像特征圖；

步驟S05：根據(jù)漏電影像特征圖測算所述柵極間的接觸孔與所述多晶硅柵極的對準偏差值。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的測試模塊包括有P型有源區(qū)，N型阱區(qū)，和所述多晶硅柵極。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，建立所述的測試模塊矩陣的方法，包括：

在所述半導體器件襯底上選取測試區(qū)域；

選取要測試的所述接觸孔與所述多晶硅柵極的關鍵尺寸，以形成關鍵尺寸矩陣；

將所述的關鍵尺寸矩陣中的每組數(shù)據(jù)作為一個測試模塊區(qū)域的數(shù)據(jù)，根據(jù)所述每組數(shù)據(jù)建立測試模塊區(qū)域，將所述測試模塊區(qū)域排布在所述測試區(qū)域內(nèi)，從而得到所述的測試模塊矩陣。

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述測試模塊的排布為：所述P型有源區(qū)呈縱向排布，所述多晶硅柵極呈橫向排布。

5.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述關鍵尺寸矩陣中，所述關鍵尺寸按照從小到大的順序排布。

6.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述測試模塊矩陣中每行至少有3個所述測試模塊，所述測試模塊等距排布。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述PMOS/N型阱區(qū)結構的形成方法，包括：

步驟S11：對所述半導體襯底進行P型阱區(qū)的離子注入，采用光阻遮擋住所述測試模塊矩陣；

步驟S12：對所述半導體襯底進行N型阱區(qū)離子注入，將所述光阻去除，所述半導體器件襯底形成N型阱區(qū)；

步驟S13：對所述半導體襯底進行N型有源區(qū)離子注入，采用光阻遮擋住所述測試模塊矩陣；

步驟S14：對所述半導體襯底進行P型有源區(qū)離子注入，將所述光阻去除，從而形成所述PMOS/N型阱區(qū)結構的測試模塊矩陣。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的接觸孔包括柵極間接觸孔、有源區(qū)接觸孔和柵源共享接觸孔。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子束缺陷掃描儀采用的著陸電壓為2300eV-2800eV，電流為80-125nA。

10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子束缺陷掃描儀采用的像素為30-100nm。