[發明專利]高壓二極管臺面鈍化前的堿處理工藝

有效

• 申請號: 201310255771.0
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN103346082A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 繆玉華;陳許平
• 申請（專利權）人: 南通皋鑫電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及電子元器件制造領域的一種高壓二極管臺面鈍化前的堿處理工藝。

背景技術

電子產品廣泛用于各行各業，半導體元器件是電子產品生產的主要部件，高壓二極管就是常用的半導體整流器件，在電子電路的的設計中經常會用到高壓二極管的反向擊穿特性，在長期的生產和工藝探索中我們發現塑封高壓二極管在臺面鈍化前如僅用酸腐蝕,常發生鈍化后反向擊穿特性曲線劣化,即反向擊穿拐點不是硬擊穿,有時曲線還不穩定,有跳動現象,從而嚴重影響產品質量和可靠性,大大降低成品率，而臺面鈍化前采用堿腐蝕工藝后則很好地解決了這個問題。

發明內容

????本發明的目的是克服現有技術的不足，發明一種高壓二極管臺面鈍化前的清洗處理工藝,以提高制品的反向擊穿特性，改善“軟擊穿”現象，提高制品測試成品率。

本發明是通過以下技術方案實現的：

具體工藝步驟如下：

1）將裝有引線-硅塊燒結部件的塑料模具放置在堿處理專用不銹鋼托架上；

2）在堿處理裝置第一NaOH槽、第二NaOH槽內分別配制好12±1%和4±0.5%的NaOH溶液，并加熱到（70±2）℃；

3）將裝有燒結部件的托架掛到第一NaOH槽上方的擺臂上，將托架浸入NaOH槽內，通過擺動進行腐蝕,?腐蝕時間為200s；

4）將第一NaOH槽腐蝕完成的托架迅速放到第二NaOH槽???內，通過擺動進行腐蝕,?腐蝕時間為200s；

5）?將第二NaOH槽內腐蝕完成的托架放入第一純水淋洗???槽內，純水流量（8±1）L/min，純水淋洗時間為200s；

6）將第一純水淋洗槽內淋洗完成的托架移至第一浸洗槽???內，純水流量（10±1）L/min，純水浸洗時間為200s，后???濾水；

7）將浸洗完成的托架放入檸檬酸三胺槽內浸泡處理，檸檬酸三胺水溶液???濃度為8±0.5%。浸泡時間為200s；

8）將浸泡完成的托架移到第二純水淋洗槽內，純水流量??（8±1）L/min，淋洗時間為200s；

9）將淋洗完成的托架移至純水超聲清洗槽內，純水流量???為（10±1）L/min，清洗超聲清洗時間為200s；

10）將托架移至第二浸洗槽內，純水流量（10±1）L/min.?浸洗時間為200s，濾水，并用氣槍吹干托架四周的水珠；

11）將托架浸于第一丙酮槽進行脫水處理，丙酮槽內的丙???酮完全淹沒托架，脫水時間為200s；

12）將托架浸于第二丙酮槽內，丙酮槽內的丙酮完全淹沒托架，脫水時間為200s，濾干；

13）將托架放在干燥傳送帶上進行N2吹干，設定N₂流量?≥???300L/min，傳送帶速度80mm/min，干燥完畢，將托架從傳送帶上取出，將模具從托架上取下，放入N2保管柜內，?N2保管柜N₂流量≥20L/min，堿處理好的部件下一步則進行???管芯表面涂膠鈍化。

本發明與現有技術相比具有以下有益效果：

1.工藝合理、效率高；

2.改善制品反向擊穿特性，提高制品的測試成品率。

附圖說明

圖1為高壓二極管臺面鈍化前的堿處理工藝流程圖。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明的內容做進一步的說明：

如圖1所示為高壓二極管臺面鈍化前的堿處理工藝流程圖，

?為提高高壓二極管制品的反向擊穿特性,改善“軟擊穿”現象，提高制品測試成品率，?在二極管芯片進行酸腐、芯片與引線組立燒結后，導入一種新型的堿腐蝕處理工藝，以去除芯片酸腐蝕可能在臺面淺表產生的染色硅膜，提高臺面上膠的密著性。經過臺面鈍化后可有效改善器件的反向擊穿特性，從而最終提高產品電性測試合格率。

具體工藝步驟如下：

1）將裝有引線-硅塊燒結部件的塑料模具放置在堿處理專用不銹鋼托架上；

2）在堿處理裝置第一NaOH槽、第二NaOH槽內分別配制好12±1%和4±0.5%的NaOH溶液，并加熱到（70±2）℃；

3）將裝有燒結部件的托架掛到第一NaOH槽上方的擺臂上，將托架浸入NaOH槽內，通過擺動進行腐蝕,?腐蝕時間為200s；

4）將第一NaOH槽腐蝕完成的托架迅速放到第二NaOH槽???內，通過擺動進行腐蝕,?腐蝕時間為200s；