[發明專利]高壓二極管臺面鈍化前的堿處理工藝有效
| 申請號: | 201310255771.0 | 申請日: | 2013-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN103346082A | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發明(設計)人: | 繆玉華;陳許平 | 申請(專利權)人: | 南通皋鑫電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 226502 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高壓 二極管 臺面 鈍化 處理 工藝 | ||
1.一種高壓二極管臺面鈍化前的堿處理工藝,其特征在于:工藝步驟如下:
1)將裝有引線-硅塊燒結部件的塑料模具放置在堿處理專用不銹鋼托架上;
2)在堿處理裝置第一NaOH槽、第二NaOH槽內分別配制好12±1%和4±0.5%的NaOH溶液,并加熱到(70±2)℃;
3)將裝有燒結部件的托架掛到第一NaOH槽上方的擺臂上,將托架浸入NaOH槽內,通過擺動進行腐蝕,?腐蝕時間為200s;
4)將第一NaOH槽腐蝕完成的托架迅速放到第二NaOH槽???內,通過擺動進行腐蝕,?腐蝕時間為200s;
5)?將第二NaOH槽內腐蝕完成的托架放入第一純水淋洗???槽內,純水流量(8±1)L/min,純水淋洗時間為200s;
6)將第一純水淋洗槽內淋洗完成的托架移至第一浸洗槽???內,純水流量(10±1)L/min,純水浸洗時間為200s,后???濾水;
7)將浸洗完成的托架放入檸檬酸三胺槽內浸泡處理,檸檬酸三胺水溶液濃度為8±0.5%,浸泡時間為200s;
8)將浸泡完成的托架移到第二純水淋洗槽內,純水流量??(8±1)L/min,淋洗時間為200s;
9)將淋洗完成的托架移至純水超聲清洗槽內,純水流量???為(10±1)L/min,清洗超聲清洗時間為200s;
10)將托架移至第二浸洗槽內,純水流量(10±1)L/min.?浸洗時間為200s,濾水,并用氣槍吹干托架四周的水珠;
11)將托架浸于第一丙酮槽進行脫水處理,丙酮槽內的丙???酮完全淹沒托架,脫水時間為200s;
12)將托架浸于第二丙酮槽內,丙酮槽內的丙酮完全淹沒托架,脫水時間為200s,濾干;
13)將托架放在干燥傳送帶上進行N2吹干,設定N2流量?≥??300L/min,傳送帶速度80mm/min,干燥完畢,將托架從傳送帶上取出,將模具從托架上取下,放入N2保管柜內,?N2保管柜N2流量≥20L/min,堿處理好的部件下一步則可進行管芯表面涂膠鈍化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





