[發明專利]改善GP CMOS器件的電性參數均一性的方法

有效

• 申請號: 201310253193.7
• 申請日: 2013-06-24
• 公開（公告）號: CN103346125A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 范洋洋;孫昌;王艷生
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，應用于采用應力記憶技術的半導體器件制備工藝中，其特征在于，所述方法包括：

提供一表面設置有柵極結構的襯底，且該襯底中臨近所述柵極結構的兩側設置有漏區和源區；

制備緩沖層覆蓋所述柵極結構的表面和所述襯底暴露的表面；

制備應力層覆蓋所述緩沖層的表面；

對所述應力層進行刻蝕，以部分保留覆蓋于所述柵極結構表面的應力層；

采用峰值退火工藝對所述襯底和柵極進行熱處理；

去除剩余的應力層；

采用激光退火工藝對所述襯底和柵極進行熱處理，以阻止所述源區和漏區中的離子進一步擴散。

2.如權利要求1所述的改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，其特征在于，對所述應力層進行刻蝕具體包括：

涂覆光刻膠覆蓋所述應力層的上表面；

采用一定義了應力記憶區域的掩膜板對所述光刻膠進行光刻工藝，形成光阻圖案；

以所述光阻圖案為掩膜對所述應力層進行刻蝕，且刻蝕停止于所述緩沖層中；

移除所述光阻圖案。

3.如權利要求2所述的改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝移除所述光阻圖案。

4.如權利要求1所述的改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，其特征在于，所述激光退火工藝的溫度控制在1250℃，時間控制在200ms。

5.如權利要求1所述的改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，其特征在于，所述峰值退火工藝的溫度控制在1075℃，時間控制在220ms。

6.如權利要求1所述的改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，其特征在于，所述緩沖層的材質為二氧化硅。

7.如權利要求1所述的改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，其特征在于，所述應力層的材質為氮化硅。

8.如權利要求1所述的改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，其特征在于，采用離子濺射的工藝方法制備所述緩沖層。

9.如權利要求1所述的改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，其特征在于，采用離子濺射的工藝方法制備所述應力層。

10.如權利要求1所述的改善GP?CMOS器件的電性參數均一性的方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝對所述應力層進行刻蝕。