[發明專利]加工方法以及加工裝置

有效

• 申請號: 201310251957.9
• 申請日: 2013-06-24
• 公開（公告）號: CN103515315B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 能丸圭司
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/08;B23K26/082;B23K26/364;B23K26/40;B23K26/12
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

本發明提供一種加工方法以及加工裝置，能夠容易地控制進行加工的區域。一種對被加工物實施蝕刻加工的加工裝置，一邊向收納了保持在保持工作臺的保持面的被加工物的蝕刻室內供給蝕刻氣體，一邊將聚光點定位到被加工物中的加工區域的內部來從保持工作臺的保持面的相反側照射相對于保持工作臺和被加工物具有透射性的波長的激光光線，由此激勵加工區域從而引發蝕刻。

技術領域

本發明涉及對被加工物實施蝕刻加工的加工方法以及加工裝置。

背景技術

在半導體器件制造過程中，通過排列為格子狀的稱為間隔道的分割預定線在大致圓板狀的半導體晶片的表面劃分出多個區域，在該劃分的區域形成IC（集成電路）、LSI（大規模集成電路）等器件。并且，通過沿著間隔道切斷半導體晶片來分割形成有器件的區域從而制造出一個個器件。另外，在藍寶石基板或碳化硅基板的表面層疊有氮化鎵化合物半導體等的光器件晶片也通過沿著間隔道切斷，而被分割為一個個發光二極管、激光二極管等光器件，被廣泛地利用于電氣設備。

通常，利用稱為劃片機的切削裝置來進行上述的晶片的沿著間隔道的切斷。該切削裝置具有：卡盤工作臺，其用于保持半導體晶片或光器件晶片等被加工物；切削構件，其用于切削保持在該卡盤工作臺的被加工物；以及切削進給構件，其用于使卡盤工作臺和切削構件相對移動。切削構件包括主軸單元，主軸單元具備：旋轉主軸、安裝在該主軸的切削刀具、以及旋轉驅動旋轉主軸的驅動機構。切削刀具由圓盤狀的基座和安裝在該基座的側面外周部的環狀切削刃構成，切削刃形成為例如通過電鑄將粒徑3μm左右的金剛石磨粒固定在基座且厚度30μm左右。當利用這樣的切削刀具沿著間隔道來切斷晶片從而分割為一個個器件時，存在這樣的問題：在器件的表面以及背面產生缺口從而使器件的抗彎強度降低。

另外，作為沿著間隔道來分割晶片的方法，提出了這樣的方法：沿著形成于晶片的間隔道照射相對于晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光線，由此形成激光加工槽，沿著該激光加工槽通過機械破碎裝置來進行分割（例如，參照專利文獻1）。

但是，沿著晶片的間隔道照射相對于晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光線時，產生了這樣的新問題：在照射的區域熱能量集中而產生碎屑，該碎屑附著于器件的表面而使器件的品質下降。

另外，作為沿著間隔道來分割晶片的方法，嘗試了這樣的激光加工方法：使用相對于晶片具有透射性的脈沖激光光線，將聚光點對準到應該分割的區域的內部來照射脈沖激光光線。使用了該激光加工方法的分割方法是這樣的方法：將聚光點從晶片的一側對準到內部，沿著間隔道照射相對于晶片具有透射性的波長的脈沖激光光線，在晶片的內部沿著間隔道連續地形成改性層，沿著由于形成有該改性層而強度降低的間隔道來施加外力，由此將晶片分割為一個個器件（例如，參照專利文獻2）。

但是，存在以下問題：由于在利用記載于上述專利文獻2的分割方法來分割出的一個個器件的側面殘存有改性層，所以使器件的抗彎強度下降從而使器件的品質降低。

為了解決這樣的問題，提出了以下技術：通過向被激光光線照射的被加工部供給用于使被加工物的熔融物質蒸發的溶液，使由于激光光線照射而飛散的熔融物質蒸發（例如，參照專利文獻3）。

現有技術文獻

專利文獻1：日本特開平10-305420號公報

專利文獻2：日本專利第3408805號公報

專利文獻3：日本特開2004-247426號公報

發明內容

然而，在上述專利文獻3所公開的技術中存在以下問題：很難控制供給用于使飛散的熔融物質蒸發的溶液的區域，會使器件的品質下降。

本發明是鑒于上述事實而做出的發明，其主要技術課題在于提供能夠容易地控制進行加工的區域的加工方法以及加工裝置。