[發明專利]加工方法以及加工裝置有效
| 申請號： | 201310251957.9 | 申請日： | 2013-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN103515315B | 公開（公告）日： | 2018-07-31 |
| 發明（設計）人： | 能丸圭司 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78;B23K26/08;B23K26/082;B23K26/364;B23K26/40;B23K26/12 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 黨曉林;王小東 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 加工 方法 以及 裝置 | ||
1.一種被加工物的加工方法，其特征在于，包括：
保持工序，將被加工物保持在保持工作臺的保持面；
被加工物收納工序，將保持在上述保持工作臺的被加工物收納到蝕刻室內；
蝕刻氣體供給工序，在實施了上述被加工物收納工序后，向上述蝕刻室內供給蝕刻氣體；以及
蝕刻引發工序，一邊供給上述蝕刻氣體，一邊將聚光點定位到被加工物中的加工區域的內部，從上述保持工作臺的保持面的相反側照射相對于上述保持工作臺以及被加工物具有透射性的波長的激光光線，由此激勵上述加工區域從而引發基于蝕刻氣體的蝕刻。
2.根據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，
上述加工區域是槽加工區域，將聚光點定位到被加工物中的上述槽加工區域的內部，沿著該槽加工區域照射激光光線。
3.根據權利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，
被加工物是硅基板，蝕刻氣體包括氯氣氣體或三氟化氯氣體。
4.一種加工裝置，其對被加工物實施蝕刻加工，其特征在于，具有：
保持工作臺，其具有用于保持被加工物的保持面；
蝕刻室，其用于收納保持在上述保持工作臺的保持面的被加工物；
蝕刻氣體供給構件，其用于向上述蝕刻室供給蝕刻氣體；
激光光線照射構件，其配設于上述保持工作臺的保持面的相反側，用于朝向保持在上述保持工作臺的保持面的被加工物照射激光光線；以及
加工進給構件，其用于對上述保持工作臺和上述激光光線照射構件在加工進給方向相對地進行加工進給，
該加工裝置一邊使上述蝕刻氣體供給構件工作來向上述蝕刻室內供給蝕刻氣體，一邊使上述激光光線照射構件工作，將聚光點定位到被加工物中的加工區域的內部來照射相對于上述保持工作臺以及被加工物具有透射性的波長的激光光線，由此激勵加工區域從而引發基于蝕刻氣體的蝕刻。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
