[發(fā)明專利]一種靶材的刻蝕量測裝置及量測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310250728.5
• 申請日: 2013-06-21
• 公開（公告）號: CN103322900A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 傅品正;陳招睦
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G01B7/26
• 分類號: G01B7/26
• 代理公司: 廣東廣和律師事務(wù)所 44298
• 代理人: 劉敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于PVD工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種靶材的刻蝕量測裝置及量測方法。

背景技術(shù)

在TFT(Thin?film?transistor)及液晶顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域中，許多PVD(Physical?Vapor?Deposition)設(shè)備采用磁控濺射來增加靶材效率。設(shè)于靶材的下面的磁石可以提高靶材的利用率，但同時磁石的移動會形成刻蝕曲線。當(dāng)靶材的刻蝕深度(Erosion?Depth)到達(dá)一定程度便無法使用。

因此，需要量測已用靶材的刻蝕深度，并調(diào)整磁石的移動和磁力線的分布，使刻蝕曲線均勻分布，以提高靶材利用率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種靶材的刻蝕量測裝置，其能夠量測靶材的刻蝕深度。

本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種靶材的刻蝕量測裝置，其中，所述靶材的刻蝕量測裝置包括導(dǎo)軌、定位部件及刻蝕深度量測部件，所述刻蝕深度量測部件以與所述導(dǎo)軌相對移動的方式設(shè)置在所述導(dǎo)軌上，所述定位部件設(shè)置在所述導(dǎo)軌的兩側(cè)以支撐所述導(dǎo)軌。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述刻蝕深度量測部件包括用于量測靶材的刻蝕深度的深度計。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述定位部件包括磁性件。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述磁性件包括磁石或電磁鐵。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述靶材的刻蝕量測裝置還包括連接在所述定位部件與所述導(dǎo)軌之間及連接在所述刻蝕深度量測部件與所述導(dǎo)軌之間的連接件。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述導(dǎo)軌的底側(cè)設(shè)有沿所述導(dǎo)軌的長度方向延伸的滑槽。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述滑槽具有滑動容納部及夾持部，所述連接件的上部設(shè)有與所述滑動容納部匹配的凸緣，所述夾持部位于所述滑動容納部的下方并用于保持所述凸緣。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述連接件的上部設(shè)有具有向上運(yùn)動趨勢的彈性件，所述滑槽沿所述導(dǎo)軌的長度方向均勻布置有多個定位孔，所述彈性件與所述多個定位孔相適配。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述彈性件為彈簧定位銷。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種靶材的刻蝕量測方法，其中，所述靶材的刻蝕量測方法包括以下步驟：

定位步驟，通過定位部件將刻蝕深度量測部件定位在靶材的正上方，

導(dǎo)軌長度方向量測步驟，沿導(dǎo)軌長度方向移動刻蝕深度量測部件，對靶材的刻蝕深度進(jìn)行量測。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的靶材的刻蝕量測裝置包括導(dǎo)軌、定位部件及刻蝕深度量測部件，所述刻蝕深度量測部件以與所述導(dǎo)軌相對移動的方式設(shè)置在所述導(dǎo)軌上，所述定位部件設(shè)置在所述導(dǎo)軌的兩側(cè)以支撐所述導(dǎo)軌，由此，通過定位部件將導(dǎo)軌固定在靶材的表面上方，并移動刻蝕深度量測部件以量測靶材的表面任意處的刻蝕深度。基于刻蝕深度量測部件的量測數(shù)據(jù)，對磁石進(jìn)行調(diào)節(jié)以提高靶材的刻蝕深度的均勻度，從而提高靶材利用率。

附圖說明

圖1是用于說明靶材的刻蝕深度的情形的圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例的靶材的刻蝕量測裝置的概略正面圖。

圖3是圖2的靶材的刻蝕量測裝置的俯視圖。

圖4是圖2的靶材的刻蝕量測裝置的導(dǎo)軌的仰視圖。

圖5是圖4的導(dǎo)軌的A-A截面圖。

圖6是圖4的導(dǎo)軌的正面圖。

圖7是圖2的靶材的刻蝕量測裝置的連接件的側(cè)視圖。

圖8是圖2的靶材的刻蝕量測裝置的深度計的側(cè)視圖。

圖9是圖2的靶材的刻蝕量測裝置的支撐桿的側(cè)視圖。

圖10是用于說明根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例的靶材的刻蝕量測方法的流程的圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行進(jìn)一步的說明。

如圖1所示，靶材的蝕刻處102的刻蝕深度h并不是均勻分布的。靶材的蝕刻處102的刻蝕深度h與PVD設(shè)備機(jī)臺內(nèi)的磁石移動、氣流等緊密相關(guān)。不同工廠、不同時期的PVD設(shè)備機(jī)臺之間也會有差別。一旦靶材的刻蝕深度h接近靶材厚度d值，靶材就只能下機(jī)，送回靶材廠商重新制作后送回。因此，需要一種可以在PVD設(shè)備機(jī)臺保養(yǎng)時直接在PVD設(shè)備機(jī)臺上量測靶材的刻蝕深度的裝置，以得到及時、準(zhǔn)確的實(shí)測值，進(jìn)而對磁石進(jìn)行調(diào)節(jié)以提高靶材的刻蝕深度的均勻度，從而提高靶材利用率，這在實(shí)際生產(chǎn)中有著重大意義。