[發明專利]一種提高取向硅鋼磁導率的裝置及方法

無效

• 申請號: 201310248441.9
• 申請日: 2013-06-20
• 公開（公告）號: CN103305682A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 王浩;李長生;李苗
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: C21D10/00
• 分類號: C21D10/00
• 代理公司: 沈陽東大專利代理有限公司 21109
• 代理人: 梁焱

技術領域

本發明屬于材料技術領域，特別涉及一種提高取向硅鋼磁導率的裝置及方法。

背景技術

硅鋼廣泛應用于電力電子等工業，磁導率是衡量硅鋼磁性能的一項重要指標，提高硅鋼的磁導率是硅鋼研究和開發最重要的目標之一。隨著信息化社會的發展，醫療用的核磁共振掃描設備、磁懸浮列車、計算機精密儀器等在社會生活中得到了廣泛使用，磁屏蔽技術也日益受到關注，磁屏蔽材料的需求量也日益增加。磁屏蔽即將屏蔽材料置于磁場傳輸空間以阻斷或減弱電磁波的傳播。由于取向硅鋼具有適宜的機械強度、生產成本低、導電導磁性能好成為了直流到10KHz范圍弱磁場廣泛采用的磁屏蔽材料，其發展前景廣闊。

目前，磁屏蔽用取向硅鋼分為未進行表面處理和表面采用激光刻痕處理兩種。未進行表面處理的硅鋼鐵損高、磁導率較低，一般不適用于磁屏蔽用途；而表面采用激光刻痕處理的硅鋼雖然鐵損相對較低、磁導率有所提高，但其表面質量差，且激光刻痕在表面涂層處形成的條紋由于完全破壞了表面絕緣涂層易產生漏磁的現象，會大大降低磁屏蔽效果。現有的冷軋取向硅鋼難以滿足對磁屏蔽效能有苛刻要求的磁屏蔽環境。為此，發明一種提高取向硅鋼磁導率的方法成為擺在科技人員面前迫在眉睫的任務。

發明內容

針對現有問題，本發明提出一種提高取向硅鋼磁導率的裝置及方法，以達到提高取向硅鋼磁導率、滿足磁屏蔽環境的使用要求的目的。

一種提高取向硅鋼磁導率的裝置，包括PC機、第一位移傳感器、第二位移傳感器，還包括動力箱、支撐架、液壓滑臺、刻痕棒和刻痕球，其中，PC機的輸入端連接第一位移傳感器的輸出端和第二位移傳感器的輸出端，第一位移傳感器的輸入端和第二位移傳感器的輸入端連接動力箱的輸出端，所述的動力箱的一側設置有液壓滑臺，動力箱下端設置有支撐架，所述的液壓滑臺的一端設置有刻痕棒，刻痕棒下端設置有刻痕球；所述的PC機內包括刻痕間距控制器和刻痕力控制器。

所述的刻痕間距控制器用于對刻痕球的橫向移動進行控制。

所述的刻痕力控制器用于對刻痕球的縱向移動進行控制。

所述的刻痕球與取向硅鋼板之間的接觸弧長所對應的圓心角小于30°。

所述的刻痕球的材料選用碳化鎢或黃銅。

采用所述的裝置提高取向硅鋼磁導率的方法，設置目標刻痕深度和刻痕間距，并根據上述參數，采用刻痕球對取向硅鋼板的表面絕緣涂層進行橫向均勻分割。

具體包括以下步驟：

步驟1、采用PC機設置目標刻痕深度和刻痕間距，所述的刻痕深度為硅鋼試樣表面絕緣涂層厚度的1/2～3/4，誤差范圍不超過設定深度的±5％，所述的刻痕間距為2mm～16mm，誤差范圍不超過設定間距的±5％；

步驟2、啟動裝置；

步驟3、液壓滑臺帶動刻痕球橫向移動，采用第一位移傳感器采集刻痕球橫向移動的間距，并將采集的信號發送至PC機；

步驟4、PC機內部的刻痕間距控制器判斷刻痕球是否達到指定刻痕間距，若是，則停止橫向移動并執行步驟5，否則繼續橫向移動并返回執行步驟4；

步驟5、液壓滑臺帶動刻痕球縱向移動，采用第二位移傳感器采集刻痕球縱向移動的深度，并將采集的信號發送至PC機；

步驟6、PC機內部的刻痕力控制器判斷刻痕球是否達到指定刻痕深度，若是，則停止縱向下移、上移歸位并執行步驟6，否則繼續縱向下移并返回執行步驟5；

步驟7、判斷是否完成硅鋼試樣表面的均勻刻分，若是，則停止裝置，否則返回執行步驟3。

本發明優點：

本發明一種提高取向硅鋼磁導率的裝置及方法，通過球刻痕處理，使得磁導率大幅增加，在不影響磁屏蔽效果的情況下，減少屏蔽層厚度，可降低生產成本，提高材料的使用效率；與現有的激光刻痕法相比，能在保證磁屏蔽效果的前提下大大降低了損壞涂層所產生的漏磁現象，更加滿足了磁屏蔽用硅鋼的工業使用需求。

附圖說明

圖1為本發明一種實施例的整體結構框圖；

圖2為本發明一種實施例的提高取向硅鋼磁導率方法流程圖；

圖3為本發明一種實施例的普通取向硅鋼磁導率檢測結果示意圖；

圖4為本發明一種實施例的高磁感取向硅鋼磁導率檢測結果示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明一種實施例做進一步說明。