[發(fā)明專利]一種提高取向硅鋼磁導率的裝置及方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310248441.9
• 申請日: 2013-06-20
• 公開（公告）號: CN103305682A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設計）人: 王浩;李長生;李苗
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: C21D10/00
• 分類號: C21D10/00
• 代理公司: 沈陽東大專利代理有限公司 21109
• 代理人: 梁焱

1.一種提高取向硅鋼磁導率的裝置，包括PC機、第一位移傳感器、第二位移傳感器，其特征在于：還包括動力箱、支撐架、液壓滑臺、刻痕棒和刻痕球，其中，PC機的輸入端連接第一位移傳感器的輸出端和第二位移傳感器的輸出端，第一位移傳感器的輸入端和第二位移傳感器的輸入端連接動力箱的輸出端，所述的動力箱的一側(cè)設置有液壓滑臺，動力箱下端設置有支撐架，所述的液壓滑臺的一端設置有刻痕棒，刻痕棒下端設置有刻痕球；所述的PC機內(nèi)包括刻痕間距控制器和刻痕力控制器。

2.根據(jù)權利要求1所述的提高取向硅鋼磁導率的裝置，其特征在于：所述的刻痕間距控制器用于對刻痕球的橫向移動進行控制。

3.根據(jù)權利要求1所述的提高取向硅鋼磁導率的裝置，其特征在于：所述的刻痕力控制器用于對刻痕球的縱向移動進行控制。

4.根據(jù)權利要求1所述的提高取向硅鋼磁導率的裝置，其特征在于：所述的刻痕球與取向硅鋼板之間的接觸弧長所對應的圓心角小于30°。

5.根據(jù)權利要求1所述的提高取向硅鋼磁導率的裝置，其特征在于：所述的刻痕球的材料選用碳化鎢或黃銅。

6.采用權利要求1所述的裝置提高取向硅鋼磁導率的方法，其特征在于：設置目標刻痕深度和刻痕間距，并根據(jù)上述參數(shù)，采用刻痕球?qū)θ∠蚬桎摪宓谋砻娼^緣涂層進行橫向均勻分割。

7.根據(jù)權利要求6所述的提高取向硅鋼磁導率的方法，其特征在于：具體包括以下步驟：

步驟1、采用PC機設置目標刻痕深度和刻痕間距，所述的刻痕深度為硅鋼試樣表面絕緣涂層厚度的1/2～3/4，誤差范圍不超過設定深度的±3%，所述的刻痕間距為2mm～16mm，誤差范圍不超過設定間距的±3%；

步驟2、啟動裝置；

步驟3、液壓滑臺帶動刻痕球橫向移動，采用第一位移傳感器采集刻痕球橫向移動的間距，并將采集的信號發(fā)送至PC機；

步驟4、PC機內(nèi)部的刻痕間距控制器判斷刻痕球是否達到指定刻痕間距，若是，則停止橫向移動并執(zhí)行步驟5，否則繼續(xù)橫向移動并返回執(zhí)行步驟4；

步驟5、液壓滑臺帶動刻痕球縱向移動，采用第二位移傳感器采集刻痕球縱向移動的深度，并將采集的信號發(fā)送至PC機；

步驟6、PC機內(nèi)部的刻痕力控制器判斷刻痕球是否達到指定刻痕深度，若是，則停止縱向下移、上移歸位并執(zhí)行步驟6，否則繼續(xù)縱向下移并返回執(zhí)行步驟5；

步驟7、判斷是否完成硅鋼試樣表面的均勻刻分，若是，則停止裝置，否則返回執(zhí)行步驟3。