[發明專利]具有多級凈化結構的沉積設備中的反應器

無效

• 申請號: 201310248220.1
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN103510067A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 李相忍
• 申請（專利權）人: 威科ALD有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于在襯底上沉積材料的沉積設備，包括：

基座，被配置為接收一個或多個襯底；以及

反應器，形成有：

第一室，被配置為注入第一氣體至移經所述第一室的所述一個或多個襯底上；

第二室，被配置為注入第二氣體至移經所述第二室的所述一個或多個襯底上；

第一收縮區，被配置為在所述一個或多個襯底之上從所述第一室向所述第二室發送所述第一氣體，所述第一收縮區形成于所述第一室和所述第二室之間，所述第一收縮區被配置為使得所述第一收縮區中的所述第一氣體的壓力低于所述第一室中的所述第一氣體的壓力，并且所述第一收縮區中的所述第一氣體的速度高于所述第一室中的所述第一氣體的速度；

排氣部，被配置為從所述反應器排放在暴露至所述一個或多個襯底之后殘留的所述第一氣體和所述第二氣體；以及

第二收縮區，被配置為在所述一個或多個襯底之上從所述第二室向所述排氣部發送所述第一氣體和所述第二氣體，所述第二收縮區形成于所述第二室和所述排氣部之間，所述第二收縮區被配置為使得所述第二收縮區中的所述第二氣體的壓力低于所述第二室中的所述第二氣體的壓力，并且所述第二收縮區中的所述第二氣體的速度高于所述第二室中的所述第二氣體的速度。

2.根據權利要求1所述的沉積設備，其中所述第一收縮區的高度小于所述第一室的寬度。

3.根據權利要求1所述的沉積設備，其中所述第二收縮區的高度小于所述第一收縮區的高度。

4.根據權利要求1所述的沉積設備，其中所述第二收縮區的高度小于所述第二室的寬度。

5.根據權利要求4所述的沉積設備，其中所述第二收縮區的高度小于所述第二室的寬度的2/3。

6.根據權利要求1所述的沉積設備，其中所述第一氣體為凈化氣體，并且所述第二氣體為用于在所述一個或多個襯底上執行原子層沉積(ALD)的源前體或反應物前體。

7.根據權利要求6所述的沉積設備，其中所述凈化氣體包括氬氣，并且所述第二氣體包括以下之一：四乙基甲基氨基鉿(TEMAHf)、四(二甲胺基)鈦(TDMAT)、鋯的混合的烷基-環戊二烯基化合物[(RCp)Zr(NMe₂)₃(R＝H、Me或Et)]、三甲基(甲基環戊二烯基)鉑(MeCpPtMe₃)和雙(乙基環戊二烯基)釕[Ru(EtCp)₂]。

8.根據權利要求6所述的沉積設備，其中所述第二氣體包括以下之一：H₂O、H₂O₂、O₃、NO、O*自由基、NH₂-NH₂、NH₃、N*自由基、H₂、H*自由基、C₂H₂、C*自由基或F*自由基。

9.根據權利要求1所述的沉積設備，其中所述反應器進一步形成有：

第三室，被配置為注入第三氣體至所述一個或多個襯底上；以及

第三收縮區，被配置為在所述一個或多個襯底之上從所述第三室向所述第一室發送所述第三氣體。

10.根據權利要求1所述的沉積設備，進一步包括被配置為引起所述反應器主體與所述基座之間的相對移動的機構。