[發(fā)明專利]一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片MQS發(fā)光層

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310246068.3
• 申請(qǐng)日: 2013-06-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103311390A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘆玲;張向飛;錢仁海;劉堅(jiān)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06
• 代理公司: 淮安市科文知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 32223
• 代理人: 謝觀素

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技術(shù)領(lǐng)域

????本發(fā)明涉及LED外延片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片MQS發(fā)光層。

背景技術(shù)

目前，藍(lán)綠光發(fā)光二極管的主流是在藍(lán)寶石或碳化硅襯底上生長(zhǎng)GaN材料，其中絕大部分采用藍(lán)寶石作為襯底，由于藍(lán)寶石襯底與GaN材料之間較大的晶格失配與熱失配，導(dǎo)致GaN外延層內(nèi)產(chǎn)生高密度的缺陷，例如穿透位錯(cuò)。實(shí)驗(yàn)證明這些缺陷是III族氮化物基發(fā)光二極管中反向漏電電流產(chǎn)生的一個(gè)重要途徑。MQS發(fā)光層厚度尺寸在后續(xù)LED使用過(guò)程中對(duì)發(fā)光亮度起到?jīng)Q定性的作用,現(xiàn)有外延片的MQS發(fā)光層在生長(zhǎng)過(guò)程中，由于厚度控制問(wèn)題，導(dǎo)致發(fā)光二極管的亮度通常較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片MQS發(fā)光層，該技術(shù)方案有效解決傳統(tǒng)外延片的MQS發(fā)光層在生長(zhǎng)過(guò)程中的厚度問(wèn)題，導(dǎo)致發(fā)光二極管的亮度通常較低。

本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片MQS發(fā)光層，包括藍(lán)寶石襯底層（1）、Buffer—緩沖層（2）、N型GaN層（3）、MQW發(fā)光層（4）以及P型GaN層（5），其特征在于：所述MQW發(fā)光層（4）包括GaN超晶格層（41）、InGaN超晶格層（42）,?所述GaN超晶格層（41）厚度為11nm,InGaN超晶格層（42）厚度為3nm。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下明顯優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明在傳統(tǒng)外延片的生長(zhǎng)過(guò)程中將GaN超晶格層、InGaN超晶格層的厚度分別控制在11nm和3nm，這樣發(fā)光二極管發(fā)出的光的光峰寬小，光的集中端高，從而提高了二極管的亮度。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1中11為藍(lán)寶石襯底層；2為Buffer—緩沖層；3為N型GaN層；?4為MQW發(fā)光層；5為P型GaN層。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本發(fā)明包括藍(lán)寶石襯底層1、Buffer—緩沖層2、N型GaN層3、MQW發(fā)光層4以及P型GaN層5，所述MQW發(fā)光層4包括GaN超晶格層41、InGaN超晶格層42,?所述GaN超晶格層41厚度為11nm,InGaN超晶格層42厚度為3nm。

本發(fā)明未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。