[發明專利]一種氮化鎵基發光二極管外延片MQS發光層無效

申請號：	201310246068.3	申請日：	2013-06-20
公開（公告）號：	CN103311390A	公開（公告）日：	2013-09-18
發明（設計）人：	蘆玲;張向飛;錢仁海;劉堅	申請（專利權）人：	淮安澳洋順昌光電技術有限公司
主分類號：	H01L33/06	分類號：	H01L33/06
代理公司：	淮安市科文知識產權事務所 32223	代理人：	謝觀素
地址：	223000 江***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種氮化發光二極管外延 mqs 發光
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【權利要求書】：

1.一種氮化鎵基發光二極管外延片MQS發光層，包括藍寶石襯底層（1）、Buffer—緩沖層（2）、N型GaN層（3）、MQW發光層（4）以及P型GaN層（5），其特征在于：所述MQW發光層（4）包括GaN超晶格層（41）、InGaN超晶格層（42）,?所述GaN超晶格層（41）厚度為11nm,InGaN超晶格層（42）厚度為3nm。

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