[發明專利]極紫外光刻工藝和掩膜

有效

• 申請號: 201310244934.5
• 申請日: 2013-06-19
• 公開（公告）號: CN103529641B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發明（設計）人: 盧彥丞;游信勝;嚴濤南
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24;G03F7/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種極紫外光刻(EUVL)工藝，包括以下步驟：

接收極紫外線(EUV)掩膜，所述EUV掩模包括：

第一主多邊形；

第二主多邊形，鄰近所述第一主多邊形；

多個輔多邊形；和

不含主多邊形和輔多邊形的區域，其中，所述主多邊形、所述輔多邊形和所述區域中的每一個均具有相關的狀態，分配給所述第一主多邊形的狀態不同于分配給所述第二主多邊形的狀態，分配給所述多個輔多邊形的狀態相同，并且分配給所述多個輔多邊形的狀態不同于分配給所述區域的狀態；

通過部分相干性б小于0.3的近似軸上照明(ONI)來曝光所述EUV掩膜，從而產生衍射光和非衍射光；

去除70％以上的所述非衍射光；以及

通過投影光學箱(POB)收集和引導所述衍射光和沒有被去除的非衍射光以曝光目標。

2.根據權利要求1所述的工藝，其中，所述EUV掩膜包括：

低熱膨脹材料(LTEM)基板；

反射多層(ML)，位于所述LTEM基板的一個面的上方；

導電層，位于所述LTEM基板的相對面的上方；

覆蓋層，位于所述反射ML的上方；

緩沖層，位于所述覆蓋層的上方；

吸收層，位于所述緩沖層的上方；以及

多個狀態，形成在所述吸收層上。

3.根據權利要求2所述的工藝，其中，所述覆蓋層和所述緩沖層是單層。

4.根據權利要求1所述的工藝，其中，至少一個輔多邊形是亞分辨率多邊形，該輔多邊形的至少一個邊長小于λ/NA，其中，λ是輻射源的波長，而NA是所述投影光學箱的數值孔徑。

5.根據權利要求6所述的工藝，其中，通過所述緩沖層、所述覆蓋層和所述ML來配置所述第一狀態；通過所述吸收層、所述緩沖層、所述覆蓋層和所述ML來配置所述第二狀態。

6.根據權利要求1所述的工藝，其中，所述主多邊形和所述輔多邊形相互接觸或重疊。

7.一種極紫外光刻(EUVL)工藝，包括：

接收EUV掩膜，所述EUV掩模包括：

多個主多邊形；

多個輔多邊形；

不含主多邊形和輔多邊形的區域；

第一狀態，具有第一反射系數r1；和

第二狀態，具有第二反射系數r2；

將所述EUV掩膜的不同狀態分配給相鄰的主多邊形；

將所述EUV掩膜的一種狀態分配給所有輔多邊形，該狀態不同于分配給所述區域的狀態；

采用部分相干性б小于0.3的近似軸上照明(ONI)來曝光所述EUV掩膜，從而產生衍射光和非衍射光；

去除70％以上的所述非衍射光；以及

通過投影光學箱(POB)收集和引導所述衍射光和沒有被去除的非衍射光，以曝光半導體晶圓。

8.根據權利要求15所述的工藝，其中：

通過所述EUV掩膜的緩沖層、覆蓋層和ML來配置所述第一狀態；以及

通過所述EUV掩膜的吸收層、所述緩沖層、所述覆蓋層和所述ML來配置所述第二狀態。

9.根據權利要求15所述的工藝，其中，主多邊形和輔多邊形相互接觸或重疊。

10.一種極紫外光刻(EUVL)掩膜，包括：

低熱膨脹材料(LTEM)基板；

反射多層(ML)，位于所述LTEM基板的一個面的上方；

導電層，位于所述LTEM基板的相對面的上方；

覆蓋層，位于所述反射ML的上方；

緩沖層，位于所述覆蓋層的上方；以及

圖案化吸收層，位于所述緩沖層的上方，其中，所述圖案化吸收層限定了多個狀態，并且不同的狀態被分配給相鄰的主多邊形，一個狀態被分配給所有輔多邊形，分配給所有輔多邊形的狀態不同于分配給區域的狀態。