[發明專利]一種鏡面可切換顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201310242850.8 | 申請日: | 2013-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN103337510A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 王海宏;焦峰;吳劍龍 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
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| 地址: | 210033 江蘇省南京市仙林大道科*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鏡面可 切換 顯示器 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種OLED顯示器,特別涉及是一種鏡面可切換的OLED顯示器及其制造方法。
背景技術
有機電激發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode,OLED)由于同時具備自發光,不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異之特性,被認為是下一代的平面顯示器新興應用技術。由于OLED顯示器不需要偏光板,彩膜,且為主動發光顯示方式,所以制作的透明OLED顯示器具有較高的透明度,透明度可以達到40%以上。
鏡面顯示器通過將半反射鏡粘貼在OLED顯示器前方,從而使顯示器既可以作為顯示屏幕使用,又可以當做鏡子來使用。但是存在著透光率低,需要更強的背光亮度,導致整機功耗增加。另外鏡面效果無法切換,導致正常顯示時,在明亮環境下,無法看清屏幕內容。
為了解決上述問題,2012年10月3日臺灣專利102709309A公開了一種鏡面可切換有機發光顯示器及鏡面可切換顯示器,如圖1所示,該鏡面可切換有機發光顯示器是通過在OLED面板100上添加一塊1/4相位延遲面板200,實現鏡面可切換功能可在一般顯示模式與鏡面顯示模式之間進行切換。解決了因另外鏡面效果無法切換,導致正常顯示時,在明亮環境下,無法看清屏幕內容的問題。但是,此存切換有機發光顯示器存在如下問題:1、光線經過鏡面玻璃300,偏光板400損耗嚴重,透過率極低。2、額外制作液晶面板200,成本高。
發明內容
發明目的:為了解決現有技術的鏡面可切換有機發光顯示器的透過率低以及額外制作液晶面板成本高的問題。
技術方案:為了上述發明目的,本發明提供一種鏡面可切換顯示器,包括:上基板、陣列基板以及間隔排列在陣列基板上的多個像素區和多個鏡面區;所述每個鏡面區包括,位于陣列基板上的下電極、位于上基板上的上電極、以及位于下電極與上電極之間的PDLC層。
進一步,所述每個像素區包括,與陣列基板電性連接的像素電極、位于像素電極上的發光層、以及位于發光層上的共通電極;
進一步,陣列基板包括開關電路TFT器件、以及覆蓋開關電路和TFT器件的絕緣層;
進一步,所述的鏡面區的上電極由ITO材料或多層氧化物復合電極材料制成;所述的鏡面區的下電極由Ag、或Al、或Ti、或Cu或Ag、Al、Ti和Cu中兩者結合或兩者以上結合的材料制成;
進一步,所述的共通電極由ITO材料或多層氧化物復合電極材料制成;所述的像素電極由ITO或者金屬Ag、或Al、或Ti,或Cu或Ag、Al、Ti和Cu中兩者結合或兩者以上結合的材料制成;
進一步,所述的多層氧化物復合電極材料可以為ITO/Au/ITO、或ITO/Au/ITO或ZnO/Cu/ZnO。
本發明還提供了一種鏡面可切換顯示器的制造方法,包括如下步驟:
步驟1:在陣列基板上制作像素電極以及下電極,下電極位于像素電極的兩側;
步驟2:在形成上述圖案的陣列基板上涂布光刻膠;
步驟3:在形成上述圖案的陣列基板上對像素區域的光刻膠進行曝光顯影,并接著對像素區域進行發光層成膜;
步驟4:形成上述圖案的陣列基板上余下部分光刻膠;
步驟5:形成上述圖案的陣列基板上的鏡面區域注入PDLC溶液;
步驟6:上述PDLC溶液進行UV固化,即形成PDLC層;
步驟7:在相鄰兩PDLC層之間制作發光層;
步驟8:在形成上述圖案的陣列基板上形成共通電極以及PDLC的上電極后,接著貼合上透明基板。
本發明還給出了另一種鏡面可切換顯示器,包括:一有機發光顯示面板,包括,上基板、陣列基板、多個像素區以及多個透光區;所述的像素區與所述的透光區間隔排列;一PDLC面板,配置于所述有機發光顯示面板的陣列基板側,具有一上電極,該上電極對應所述的陣列基板,一下電極以及位于上下電極之間的PDLC層。
進一步,所述的透光區包括位于所述的上基板和所述的陣列基板的絕緣層之間的PDLC層;
進一步,所述的上電極由ITO或多層氧化物復合電極材料制成;所述的下電極由Ag、或Al、或Ti、或Cu或Ag、Al、Ti和Cu中兩者結合或兩者以上結合的材料制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





