[發明專利]一種鏡面可切換顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201310242850.8 | 申請日: | 2013-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN103337510A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 王海宏;焦峰;吳劍龍 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省南京市仙林大道科*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鏡面可 切換 顯示器 及其 制造 方法 | ||
1.一種鏡面可切換顯示器,包括:上基板、陣列基板以及間隔排列在陣列基板上的多個像素區和多個鏡面區;所述每個鏡面區包括,位于陣列基板上的下電極、位于上基板上的上電極、以及位于下電極與上電極之間的PDLC層。
2.根據權利要求1所述的鏡面可切換顯示器,其特征在于:所述每個像素區包括,與陣列基板電性連接的像素電極、位于像素電極上的發光層、以及位于發光層上的共通電極。
3.根據權利要求2所述的鏡面可切換顯示器,其特征在于:陣列基板包括開關電路TFT器件、以及覆蓋開關電路和TFT器件的絕緣層。
4.根據權利要求1所述的鏡面可切換顯示器,其特征在于:所述的鏡面區的上電極由ITO材料或多層氧化物復合電極材料制成;所述的鏡面區的下電極由Ag、或Al、或Ti、或Cu或Ag、Al、Ti和Cu中兩者結合或兩者以上結合的材料制成。
5.根據權利要求2所述的鏡面可切換顯示器,其特征在于:所述的共通電極由ITO材料或多層氧化物復合電極材料制成;所述的像素電極由ITO或者金屬Ag、或Al、或Ti,或Cu或Ag、Al、Ti和Cu中兩者結合或兩者以上結合的材料制成。
6.根據權利要求4或5所述的鏡面可切換顯示器,其特征在于:所述的多層氧化物復合電極材料可以為ITO/Au/ITO、或ITO/Au/ITO或ZnO/Cu/ZnO。
7.一種鏡面可切換顯示器的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1:在陣列基板上制作像素電極以及下電極,下電極位于像素電極的兩側;
步驟2:在形成上述圖案的陣列基板上涂布光刻膠;
步驟3:在形成上述圖案的陣列基板上對像素區域的光刻膠進行曝光顯影,并接著對像素區域進行發光層成膜;
步驟4:形成上述圖案的陣列基板上余下部分光刻膠;
步驟5:形成上述圖案的陣列基板上的鏡面區域注入PDLC溶液;
步驟6:上述PDLC溶液進行UV固化,即形成PDLC層;
步驟7:在相鄰兩PDLC層之間制作發光層;
步驟8:在形成上述圖案的陣列基板上形成共通電極以及?PDLC的上電極后,接著貼合上透明基板。
8.一種鏡面可切換顯示器,包括:
一有機發光顯示面板,包括,上基板、陣列基板、多個像素區以及多個透光區;所述的像素區與所述的透光區間隔排列;
一PDLC面板,配置于所述有機發光顯示面板的陣列基板側,具有一上電極,該上電極對應所述的陣列基板,一下電極以及位于上下電極之間的PDLC層。
9.根據權利要求8所述的鏡面可切換顯示器,其特征在于:所述的透光區包括位于所述的上基板和所述的陣列基板的絕緣層之間的PDLC層。
10.根據權利要求8所述的鏡面可切換顯示器,其特征在于:所述的上電極由ITO或多層氧化物復合電極材料制成;所述的下電極由Ag、或Al、或Ti、或Cu或Ag、Al、Ti和Cu中兩者結合或兩者以上結合的材料制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





